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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. 固体源化学气相沉积生长c轴平行于衬底的ZnO薄膜
    作者： 叶志镇 吕建国 张银珠 赵炳辉 黄靖云
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  1-5
    摘要： 报道了利用固体源化学气相沉积(SS-CVD)技术制备出c轴平行于衬底的ZnO薄膜.固体Zn(CH3COO)2*2H2O为前驱体,在不同的生长条件沉积ZnO薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、原...
  • 2. 应变多量子阱DFB激光器有源区的优化设计
    作者： 刘式墉 张冶金 朱林 董毅 谢世钟 陈明华 陈维友 高志国
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  6-10
    摘要： 利用一个简单模型对1.55μm波长In1-x-yGayAlxAs MQW DFB激光器的阱数和腔长进行了优化,模拟得到了最高工作温度达550～560K,张弛振荡频率在30GHz以上的低阈值M...
  • 3. 1.55μm张应变InGaAsP/InGaAsP量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的优化设计
    作者： 何国敏 王圩 董杰 邱伟彬
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  11-17
    摘要： 优化设计了1.55μm InGaAsP/InGaAsP张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构.利用k*p方法计算了多量子阱的价带结构,计算中考虑了6×6有效质量哈密顿量.从阱宽、应变、注...
  • 4. 利用弛豫谱技术对界面陷阱密度和其能量分布的研究
    作者： 毛凌锋 许铭真 谭长华 霍宗亮
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  18-23
    摘要： 基于界面陷阱的定义,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布.发现这两种方法提取的界面陷阱密度的能量分布是自洽...
  • 5. 纳米电子束曝光
    作者： 刘明 张建宏 王云翔 陈宝钦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  24-28
    摘要： JEOL JBX-5000LS是矢量扫描的电子束曝光机.系统采用LaB6灯丝,可以工作在25kV和50kV的加速电压下.对该系统的分辨率、稳定性、场拼接和套刻精度进行了系列研究,得到了分辨率...
  • 6. 镶嵌在超薄SiO2层中的纳米硅的库仑阻塞现象
    作者： 刘嘉瑜 吴良才 徐骏 戴敏 李伟 石建军 陈坤基 马忠元 鲍云 黄信凡
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  29-33
    摘要： 采用等离子体氧化和逐层(layer by layer)生长技术在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中原位制备了SiO2/nc-Si/SiO2的双势垒纳米结构,从nc-Si薄膜的喇曼...
  • 7. 立方相GaN的持续光电导
    作者： 冯志宏 冯淦 孙元平 张宝顺 张泽洪 杨辉 沈晓明 赵德刚 郑新和
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  34-38
    摘要： 研究了金属有机物化学气相外延(MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相GaN的持续光电导效应.在六方相GaN中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关,而实验则显示在立方GaN中,持续光电导效应...
  • 8. 表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质
    作者： 李昱峰 王占国 陈振 韩培德 黎大兵
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  39-43
    摘要： 为了得到高性能的GaN基发光器件,有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了InGaN量子点,并通过原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱对其微...
  • 9. 热氧化制备纳米氧化锌薄膜的光致发光和室温紫外激光发射
    作者： 刘益春 张吉英 张喜田 支壮志 申德振 范希武 许武 钟国柱
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  44-48
    摘要： 利用低压-金属有机汽相外延(LP-MOCVD) 工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化,制备出高质量的纳米氧化锌(ZnO)薄膜.X...
  • 10. 大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响
    作者： 余学功 李立本 杨建松 杨德仁 阙端麟 马向阳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  49-53
    摘要： 研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮(N)对原生氧沉淀的影响.通过高温一步退火(1050℃)和低-高温两步退火(800℃+1050℃)发现在掺N直拉(NCZ)硅中氧沉淀的行为与一般直拉(CZ)硅是...
  • 11. 热氧化法钝化硅片的少数载流子寿命
    作者： 余学功 崔灿 李立本 杨德仁 阙端麟 马向阳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  54-57
    摘要： 用高频光电导衰减法(PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响.在700～1100℃范围热氧化不同时间(0.5～4h)对直拉硅片表面进行钝化,实验结果表明,在1000℃下热氧化对硅片表面...
  • 12. 一维ZnSe半导体纳米材料的制备与特性
    作者： 介万奇 李焕勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  58-62
    摘要： 在三种新溶剂三乙胺、二乙胺、三乙醇胺中,以KBH4为还原剂,由改进的溶剂热方法于170℃制备了ZnSe纳米材料,XRD、TEM研究表明最终产物为一维ZnSe半导体纳米晶材料,室温产物为球形Z...
  • 13. Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi2
    作者： Paul K.Chu S.P.Wong W.Y.Cheung 屈新萍 徐蓓蕾 李炳宗 茹国平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  63-67
    摘要： 采用Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在Si(100)上制备外延CoSi2薄膜.用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶...
  • 14. 硅基法布里-珀罗微腔的室温发光
    作者： 但亚平 刘理天 岳瑞峰 王燕
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  68-71
    摘要： 提出了一种新型基于法布里-珀罗(F-P)微腔的发光器件结构.它采用PECVD方法制备的非晶硅/二氧化硅结构作为微腔中的布拉格反射腔,非晶碳化硅薄膜作为中间光发射层,通过对一维方向光子的限制,...
  • 15. 频率响应法测量光强度调制器啁啾参数
    作者： 伍剑 张帆 林金桐 王安斌
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  72-75
    摘要： 描述一种利用光纤频率响应法测量光强度调制器啁啾参数的方法.通过利用网络分析仪测量光强度调制器(电吸收调制器和马赫-曾德尔型铌酸锂调制器)经过光纤后的频率响应特性,从而间接测量啁啾参数.实验结...
  • 16. 氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响
    作者： 张兴 许晓燕 谭静荣 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  76-79
    摘要： p+多晶硅栅中的硼在SiO2栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化,在多晶硅栅内注入N+的工艺可抑制硼扩散.制备出栅介质厚度为4.6nm的p+栅MOS电容,通过SIMS测试分析和I-V、C-V...
  • 17. 1V 2.5GHz压控振荡器设计
    作者： 曾晓军 李天望 洪志良
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  80-84
    摘要： 设计了1V,2.5GHz的全集成压控振荡器.通过优化集成电感的设计,同时采用NMOS管和开关电容阵列作为可变电容,使该设计具有较低的相位噪声和较宽的调谐范围.采用0.18μm CMOS工艺进...
  • 18. 一种新的相位开关实现技术及其在射频双模预分频器中的应用
    作者： 池保勇 石秉学
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  85-89
    摘要： 提出了一种新的相位开关实现技术.基于这种技术设计了一个2/3分频器单元,该单元结构简单,工作频率高,功耗低.为了验证该技术,采用0.25μm CMOS数字工艺实现了一个128/129双模预分...
  • 19. 填充不流动胶的倒装焊封装中芯片的断裂问题
    作者： 彩霞 徐步陆 程兆年 黄卫东
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  90-97
    摘要： 用断裂力学方法和有限元模拟分析了填充不流动胶芯片断裂问题.模拟时在芯片上表面中心预置一裂缝,计算芯片的应力强度因子和能量释放率.模拟表明,由固化温度冷却到室温时,所研究的倒装焊封装在填充不流...
  • 20. 面向寄存器的流水线处理器建模及验证方法
    作者： 何虎 孙义和
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  98-103
    摘要： 提出了一种新的流水线处理器功能的验证方法,这种方法的主要思想是通过验证流水线处理器中所有寄存器的功能来验证处理器的功能.流水线处理器绝大部分是由同步电路组成的,同步电路的状态则完全由寄存器的...
  • 21. 全耗尽CMOS/SOI工艺
    作者： 刘新宇 刘洪民 吴德馨 和致经 孙海峰 扈焕章 海潮和 陈焕章
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  104-108
    摘要： 对全耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/SOI抗辐照工艺.其关键工艺技术包括:氮化H2-O2合成薄栅氧、双栅和注Ge硅化物等技术.经过工艺投片,获得性能良好...
  • 22. 半导体科学基础研究面临新的发展机遇--国家自然科学基金半导体学科2002年申请概况分析
    作者： 何杰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  109-112
    摘要： 信息科学不断发展,对半导体科学研究提出了更高要求.微电子学的实验室水平已经进入纳米电子学范畴;光电子学、光电子和光子集成也不断发展;而纳电子学、自旋电子学、分子电子学、生物电子学和量子信息学...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

被引趋势
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学科分布
研究主题
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