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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
6983
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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目录
  • 1. 一种用于分离pMOS器件热载流子应力下氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对阈值电压退化作用的方法
    作者： 杨国勇 毛凌锋 王金延 许铭真 谭长华 霍宗亮
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  673-679
    摘要： 在电荷泵技术的基础上,提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对pMOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的作用,并且这种方法得到了实验的验证.结果表明对于pMOS器件退化...
  • 2. 人工神经网络在解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型中的应用
    作者： 刘伯安 周欣 林榕
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  680-686
    摘要： 应用前馈神经网络解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型.此方法需要用神经网络解微分方程的特征值问题以及积分方程.首先以此方法解具有Morse势函数的Schrodinger方程来验证此方法...
  • 3. 基于多孔硅牺牲层技术的压阻式加速度传感器的分析和设计
    作者： 刘理天 周俊 姚朋军 王晓红 董良
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  687-692
    摘要： 分析并设计了一种利用高选择自停止的多孔硅牺牲层技术制作压阻式加速度传感器的工艺,并利用外延单晶硅作为传感器的结构材料,这种工艺能精确地控制微结构的尺寸.利用多孔硅作牺牲层工艺,使用加入硅粉和...
  • 4. 高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器
    作者： 岳爱文 张伟 沈坤 王任凡 石兢 詹敦平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  693-696
    摘要： 报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器.研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0.82mW/mA和2.59mA,激光器在23mA时输出1...
  • 5. 离子注入4H-SiC MESFET器件的夹断电压
    作者： 张义门 张玉明 王守国
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  697-701
    摘要： 考虑离子注入沟道和沟道深度的影响,提出了精确的离子注入4H-SiC MESFET器件夹断电压的理论计算方法.注入浓度由蒙特卡罗模拟软件TRIM提取计算.研究了温度、外延层受主浓度、注入离子激...
  • 6. 新颖的IGBT SPICE模型及非破坏参数提取和验证
    作者： 朱长纯 袁寿财
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  702-706
    摘要： 提出并优化了一种和现有SPICE软件如HSPICE完全兼容的IGBT等效电路模型.该模型摒弃了双极晶体管的所谓准静态假设而用精确的双极输运理论进行分析,更符合IGBT的实际工作条件.利用电压...
  • 7. 双量子点分子中激子的动态局域化行为
    作者： 刘承师 王立民 马本堃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  707-713
    摘要： 采用两点Hubbard模型和Floquet定理研究了在交变电场驱动下双量子点分子中激子的动力学行为.数值计算表明,系统准能随交变电场振幅的变化会出现一系列严格交叉和回避交叉.在某些弱场区的准...
  • 8. GaP1-xNx混晶的喇曼散射谱
    作者： MASCARENHAS A 吕毅军 张勇 杜武青 辛火平 郑健生 高玉琳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  714-717
    摘要： 在室温下测试了GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了GaP的LO(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495cm-3).在N组...
  • 9. 半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷
    作者： 刘彩池 唐蕾 张春玲 徐岳生 王海云 郝景臣
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  718-722
    摘要： 通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和X射线异常透射形貌等技术,研究了半绝缘砷化镓单晶中的位错和微缺陷.实验发现用常规液封直拉法制备出的直径大于或等于75mm的半绝缘砷化镓单...
  • 10. ZnO材料的电子输运特性
    作者： Maritin Staedele Umberto Ravaioli 孙荣霞 宋登元 宗晓萍 王永青 郭宝增
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  723-728
    摘要： 用全带Monte Carlo方法模拟了纤锌矿ZnO材料电子的稳态和瞬态输运特性.稳态输运特性包括稳态平均漂移速度-电场特性、电子平均能量-电场特性和在不同电场下电子按能量的分布.在平均漂移速...
  • 11. 退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响
    作者： 叶志镇 吕建国 汪雷 赵炳辉 黄靖云
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  729-736
    摘要： 研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200～1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光...
  • 12. 用于半导体激光器热沉的金刚石膜/Ti/Ni/Au金属化体系的研究
    作者： 李俊岳 潘存海 王少岩 花吉珍
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  737-742
    摘要： 提出了一种用于半导体激光器热沉的金刚石膜/Ti/Ni/Au金属化体系.采用金属化前期预处理、电子束蒸镀技术和后续低温真空热处理,金属层和金刚石膜之间获得了良好的结合强度.AES分析表明Ti/...
  • 13. TIGBT的稳态和瞬态模型
    作者： 张莉 田立林 鲁耀华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  743-747
    摘要： 从沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的物理结构出发,提出了TIGBT的稳态模型和瞬态模型.该模型不仅考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用增强效应,而且还考虑到缓冲层对器件性能的影响.通...
  • 14. 确定PHEMT器件等效电路的一种新方法
    作者： 张斌 谢利刚
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  748-752
    摘要： 提出了一种新的确定PHEMT器件小信号等效电路方法.这种方法包括对本征元件与非本征元件的解析求解以及逆向求解优化非本征元件,从而提高非本征元件值的精度,使得整个等效电路的精度大大提高.这种方...
  • 15. InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计
    作者： 刘训春 钱永学
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  753-757
    摘要： 采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号Gummel-Poon模型参数,利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的1900MHz两级AB类功率放大器.该功放的功率增益为26dB...
  • 16. 兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟
    作者： 于洋 仙文岭 刘奎伟 钱鹤 陈则瑞 韩郑生 饶竞时
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  758-762
    摘要： 在Synopsys TCAD软件环境下,模拟实现了与0.5μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS器件,其中NMOS耐压达到108V,PMOS耐压达到-69V.在标准CMOS工艺的基础上添加三...
  • 17. 一种适用于高速串行数据通信的发送器
    作者： 叶菁华 洪志良 郭淦 陈一辉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  763-768
    摘要： 介绍了一种采用深亚微米CMOS工艺实现的单片集成发送器的设计.该发送器适用于高速串行硬盘接口,主要由时钟发生器、并串转换电路和片内阻抗匹配的线驱动器三大模块组成.发送器采用0.18μm六层金...
  • 18. 一个易于系统集成的变步长反馈数字DC-DC变换模块
    作者： 原钢 石寅
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  769-774
    摘要： 提出了一种采用单比较器变步长反馈控制和占空比抖动方法的数字DC-DC变换模块.它用6位二进制分辨率占空比的PWM信号实现了7位的电压分辨率.变步长反馈控制的使用使得它具有比恒定步长方案更好的...
  • 19. 一种开关电流电路时钟馈通的补偿技术
    作者： 李拥平 石寅
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  775-779
    摘要： 提出一种开关电流电路时钟馈通的补偿技术.这种技术可以同时取消误差电流中的常数项和信号关联项.在相同工艺条件下的HSPICE仿真结果表明:文中提出的时钟馈通补偿技术的开关电流存储单元与基本的开...
  • 20. 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性
    作者： 任迪远 余学锋 张国强 王明刚 胡浴红 赵文魁 郭旗 陆妩
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2003年7期
    页码:  780-784
    摘要： 在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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