半导体学报(英文版)期刊
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

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影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
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  • 作者: 刘弋波 刘恩峰 刘晓彦 韩汝琦
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  144-147
    摘要: 利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应.
  • 作者: 丁永芝 俞建国 戴文恺 杨介信 杨燮龙 赵振杰 马学鸣
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  202-204
    摘要: 利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发.它与传统的磁通门、霍尔和磁电阻传感器相比具有灵敏度高、温度稳定性好、使用寿命长等优点,已分别应用于汽车测速、电喷发动机点火和其他工业...
  • 作者: 夏建白 李新征
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  34-37
    摘要: 在有效质量包络函数理论的框架下,经过坐标变化给出了椭球形纤锌矿结构CdSe量子点的哈密顿量并对其电子结构和光学性质进行了计算.给出了电子和空穴能级随椭球横纵比变化的图形并对其做出了解释.对量...
  • 作者: 田文超 贾建援
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  70-73
    摘要: 建立了原子力显微镜(AFM)针尖同接触面的纳米压痕物理模型;根据Hamaker三个假设和Lennard-Jones 势理论,利用连续方法推导出针尖同接触面的纳米压痕粘着力表达式.针对Hama...
  • 作者: 刘理天 周俊 王晓红 谢克文
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  198-201
    摘要: 多孔硅作为一种新型材料,利用其疏松多孔的特性及与IC加工的兼容性,将其用于硅微质子交换膜燃料电池的研究中,作为其电极扩散层.对多孔硅膜的性能、制备工艺及多孔硅膜表面金属淀积工艺进行了研究,提...
  • 作者: 叶小玲 徐波 王占国 钱家骏 陈涌海 韩勤
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  51-55
    摘要: 采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管.研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性.条宽为100μm、腔长为1.6mm...
  • 作者: 刘泽文 刘理天 李志坚 梁雪冬
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  179-182
    摘要: 对传统平行极板MEMS压控电容的局限性进行了理论分析,提出了一种新型的高调节范围MEMS压控电容.它的特点在于使用了三对极板,其中的一对是电容极板,另外两对是控制极板.电容极板用于传输交流信...
  • 作者: 于伟东 冯涛 张继华 徐静芳 李琼 柳襄怀 王曦 邹世昌
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  161-165
    摘要: 报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到...
  • 作者: 刘云圻 夏善红 宋青林 朱道本 胡平安 陈绍凤
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  166-169
    摘要: 研究了碳纳米管的场致发射特性,实验证明碳纳米管作为场发射阴极材料具有优越性.通过对碳纳米管进行温度处理,得到了与基片附着力强的碳纳米管;测试了场发射特性,发现碳纳米管其开启电压较低(30V)...
  • 作者: 李志坚
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  1-5
    摘要: 从器件优值(功耗-延时积)出发,在介绍了微电子和纳电子技术发展现况的同时,讨论了从微电子到纳电子的演变本质;同时指出,信息处理系统在SOC(片上系统)发展过程中变革的必然性.最后对纳电子学与...
  • 作者: 王吉林 陈培毅
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  229-234
    摘要: 介绍了两大类纳米尺度加工技术--高分辨率技术和工艺流程控制形成纳米尺度技术.其中高分辨率技术是微电子光刻技术的延伸,包括高效率高成本并完全兼容现有IC工艺的极紫外光刻技术(extreme u...
  • 作者: 何宇亮 施毅
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  192-197
    摘要: 使用PECVD薄膜沉积技术制成的具有新结构特征的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)拥有一系列物性.以纳米硅膜为母体研制成异质结二极管,发现它具有一系列优于单晶硅二极管的独特性能.探讨了使用纳米硅薄...
  • 作者: 刘恩峰 刘晓彦 夏志良 韩汝琦
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  140-143
    摘要: 使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性...
  • 作者: 熊晨荣 王民生 王燕 罗广礼 陈培毅 黄文韬
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  128-131
    摘要: 用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,Jp(峰值电流)=1.589kA/cm2,对应的低温(77K...
  • 作者: 任黎明 刘明 李泠 王云翔 陆晶 陈宝钦 龙世兵
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  221-225
    摘要: 通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程,探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径.实验结果表明:邻近效应现象是一种综合效应,可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响,使邻近效应校正...
  • 作者: 侯瑞兵 刘明 吴德馨 徐秋霞 蒋浩杰 赵玉印 钱鹤 陈宝钦 韩郑生
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  153-160
    摘要: 研究了20~50nm CMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器.在电源电压VDD为±1.5V下,N...
  • 作者: 刘忠立 刘焕章 宁瑾 葛永才
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  187-191
    摘要: 提出了一种新的硅基电容式微传声器的制备方法,即采用多孔硅牺牲层技术制备声学孔,采用聚酰亚胺膜作声学振膜.采用该方法制备出的电容式微传声器器件,开路灵敏度为-107.8dB,在400~10kH...
  • 作者: Martin A Green 薛钰芝
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  65-69
    摘要: 用热蒸发和自然氧化法制备纳米量级Al/Al2O3多层膜.检测XPS光电子能谱和UPS谱线,得到Ei(k∥I)关系曲线,并发现薄膜具有负阻特性.
  • 作者: 严学俭 华中一 吉小松 张群 李旭 王伟军 邱伟民
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  114-118
    摘要: 利用STM对金属有机络合物电双稳材料Ag-TCNQ的薄膜进行电学性质的表征与改性,在针尖强电场的作用下,当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态,这两种高低阻态可分别定义为一个存储单元的...
  • 作者: 严珉玉 刘豫东 崔建国 石教华 耿志挺 钱志勇 马莒生
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  217-220
    摘要: 研究了微晶石墨和鱼骨状碳管的添加对新型投影显示屏光学性能的影响.结果表明,添加后投影显示屏样品的亮度并没有下降,添加鱼骨状碳管的投影显示屏的亮度和亮度均匀性均高于添加微晶石墨的投影显示屏,并...
  • 作者: 吕建平 瞿保钧 谢荣才 邱龙臻
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  81-84
    摘要: 采用活性剂包覆的溶液沉淀法制备了不易团聚的纳米氢氧化镁粉体.经透射电镜表征,其形态是短轴方向尺寸为6~9nm,长轴方向尺寸为50~100nm的针状粒子.随着氢氧化镁粒径的减小,光致发光光强度...
  • 作者: 孔梅影 曾一平 李晋闽
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  78-80
    摘要: 利用分子束外延枝术,自组织生长了具有正入射红外吸收特性的InGaAs/GaAs量子点超晶格结构.通过改变结构参数和生长参数,可改变量子点的形状、尺寸和调制其红外吸收波长,用于研制8~12μm...
  • 作者: 余志平 王令全 王燕 陈培毅
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  132-135
    摘要: 应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的RTD结构在不同阱宽和不同垒宽情形下的电流-电...
  • 作者: 孙美 肖钧元 钱春
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  107-109
    摘要: 经缩聚反应合成了纳米胆甾型液晶材料.通过改变手性组分含量、手性化温度以及调节分子间纳米级螺距,使聚合物表现出不同的光学和波谱性能.制备出了随入射光的入射方向和观察方向不同而色彩变化、表面均匀...
  • 作者: 廖永建 张建成 沈悦 顾峰
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  99-103
    摘要: 采用X-ray衍射分析、差示扫描量热及扫描电镜等手段,研究了Li2O-MgO-Al2O3-SiO2系统中晶化剂TiO2不同添加量和晶化热处理工艺对纳米相微晶玻璃制备的影响,探讨了TiO2的晶...
  • 作者: 夏善红 宋青林 张建刚 陈绍凤
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  47-50
    摘要: Si3N4薄膜被广泛应用于微机械和微电子器件中,其热物性在某些器件中显得很重要.为了研究Si3N4薄膜的热容、辐射、对流等热物性,文中设计出一种悬膜结构,并从理论上分析了此结构的传热机理.实...
  • 作者: 付磊 刘云圻 朱道本
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  22-27
    摘要: 分子电子学是微电子学发展的一个方向.文中介绍了分子电子学的发展过程、研究内容、近期的一些主要进展、存在的问题和今后的发展趋势.
  • 作者: 周磊 方佑龄 赵文宽
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  94-98
    摘要: 将基质玻璃片浸渍在含配合物TiF2-6,F-离子捕获剂H3BO3,及加有结晶诱导剂TiO2纳米晶的过饱和水溶液中,在基质上沉积TiO2薄膜.在沉积温度35℃和TiF2-6水溶液的浓度为0.1...
  • 作者: 李英 肖庆欣
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  119-122
    摘要: 利用新型纳米材料作为天线的激励源,应用时域有限差分法(FDTD)对采用纳米材料作为天线激励源的渐宽式微带缝隙天线进行了分析计算.理论分析与实测结果一致,证明了分析方法的有效性.
  • 作者: 刘弋波 刘恩峰 刘晓彦 夏志良 杜刚 韩汝琦
    发表期刊: 2003年z1期
    页码:  148-152
    摘要: 利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型,编制了流体动力学半导体器件模拟程序,并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

半导体学报(英文版)统计分析

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