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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性
    作者： 刘宏新 刘新宇 刘键 孔梅影 孙殿照 曾一平 李晋闽 林兰英 王军喜 王晓亮 胡国新 钱鹤
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  121-125
    摘要： 用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-...
  • 2. 平面型埋栅结构的静电感应晶体管
    作者： 李思渊 王永顺 胡冬青
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  126-132
    摘要： 在表面栅和埋栅结构的基础上,提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构,平面型埋栅结构.用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压的埋栅结构,避免了工艺难度较大的二次外延和台面腐蚀工艺.实验结果表明该...
  • 3. 单片集成光电探测器与接收机的协同设计
    作者： 孙增辉 毛陆虹 贾九春 陈弘达 陈永权 高鹏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  133-137
    摘要： 建立了光电探测器的行为模型.此模型描述了注入光功率与光生电流的关系,以及反偏电压对光生电流与结电容的影响.给出了在统一的SPICE设计环境中对光电子器件与电路协同设计的方法,并对光电探测器与...
  • 4. 基于共振隧穿二极管的TSRAM设计
    作者： 潘立阳 程玥 许军
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  138-142
    摘要： 介绍了基于共振隧穿二极管的隧穿静态随机存储器的单元结构和原理.讨论了nMOS,pMOS和CMOS作为单元里的选中管的特点,综合考虑面积和功耗后,发现nMOS是选中管的最佳选择.设计了基于RT...
  • 5. 光控单稳-双稳转换逻辑单元
    作者： 张世林 梁惠来 牛萍娟 郭维廉 钟鸣 齐海涛
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  143-147
    摘要： 用光电晶体管替换HEMT作为输入端,结合RTD可以构成新的光控逻辑单元,它具有光电流开关和自锁功能,该功能在实验及电路模拟中得到证实.在此基础上,若以异质结光电管(HPT)和RTD集成,可以...
  • 6. 用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd∶YAG激光器中的被动调Q
    作者： 张志刚 李朝阳 王勇刚 马骁宇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  148-151
    摘要： 对半绝缘GaAs晶片进行As+注入,注入能量为400keV,剂量为1016cm-2.用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了62ns...
  • 7. 在Vg=Vd/2应力模式下2.5nm氧化层pMOSFETs的新寿命预测模型
    作者： 胡靖 许铭真 谭长华 赵要
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  152-157
    摘要： 研究了2.5nm超薄栅短沟pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下的热载流子退化机制及寿命预测模型.栅电流由四部分组成:直接隧穿电流、沟道热空穴、一次碰撞电离产生的电子注入、二次碰撞电离产...
  • 8. 优化时延与拥挤度的增量式布局算法
    作者： 吴为民 李卓远 洪先龙
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  158-164
    摘要： 提出了一种优化时延的增量式布局算法,该算法根据时延分析的结果在迭代求解的过程中动态调整线网权值.在此基础上,提出了三种同时优化时延和拥挤度的多目标优化的布局算法,在满足时延和拥挤度约束的前提...
  • 9. 直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征
    作者： 于本海 席再军 秦应雄 童杏林 胡兵 郑启光
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  165-169
    摘要： 采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.XRD、AFM、PL和Hall测量的结果表明在2～20Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高GaN薄膜的结晶质量;...
  • 10. 基于InP/空气隙布拉格反射镜的长波长谐振腔光电探测器
    作者： 任晓敏 刘宇 吴荣汉 张胜利 杨晓红 王兴妍 王琦 祝宁华 马骁宇 高俊华 黄永清 黄辉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  170-173
    摘要： 报道了一种长波长的InP基谐振腔(RCE)光电探测器.采用选择性湿法刻蚀,制备出基于InP/空气隙的分布布拉格反射镜,并将该结构的反射镜引入RCE光电探测器.制备的器件在波长1.510μm处...
  • 11. 一种新型CMOS兼容湿度传感器
    作者： 严先蔚 张中平 秦明 顾磊 黄庆安
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  174-178
    摘要： 给出了与CMOS工艺兼容的一种新型梳齿状湿度传感器的结构、工艺流程及其测试结果.利用Coventor软件对这种新型结构进行了理论分析,对制备出的湿度传感器的性能如灵敏度、滞回特性、重复性、响...
  • 12. p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列
    作者： 张荣 施毅 杨红官 沈波 濮林 郑有炓 闾锦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  179-184
    摘要： 采用巴丁(Bardeen)传输哈密顿方法,数值计算了p沟道锗/硅异质纳米结构存储器的时间特性.由于台阶状隧穿势垒和较高价带带边的作用,这种新型的存储器单元可以同时实现器件的快速编程和长久存储...
  • 13. 梳状谐振器的大信号等效电路宏模型
    作者： 戎华 李伟华 闻飞纳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  185-189
    摘要： 研究了梳状谐振器在大信号作用下的机电特性方程.采用SPICE中的多项式受控源,给出了其F-I类比的大信号等效电路,同时根据所得到的等效电路宏模型运用SPICE软件进行了系统级的模拟,并采用两...
  • 14. 基于SOA光纤环镜的NRZ信号时钟分量的提取
    作者： 洪伟 蔡飞碧 黄德修
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  190-194
    摘要： 采用SOA (semiconductor optical amplifier)光纤环镜将2.5Gbit/s的NRZ (non-return-to-zero)信号转换为相应的PRZ (pseu...
  • 15. 低串扰平顶型刻蚀衍射光栅解复用器的设计
    作者： 何赛灵 宋军 石志敏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  195-199
    摘要： 介绍了一种低串扰、频谱响应平坦化的刻蚀衍射光栅(EDG)解复用器的机理与设计方法,设计带有预整形输入的优化的多模干涉(MMI)结构.该设计采用了广角束传播方法(BPM)、基耳霍夫衍射理论以及...
  • 16. SiO2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响
    作者： 吴海平 徐静平 韩弼 黎沛涛
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  200-205
    摘要： 提出了一种基于器件物理的4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型.该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应.利用此模型...
  • 17. 一种CMOS折叠结构ADC中的失调抵消技术
    作者： 李志刚 石寅
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  206-213
    摘要： CMOS折叠预放电路的失调是限制CMOS折叠结构A/D转换器实现高分辨率应用的主要原因之一.文中提出差分对的动态匹配技术改善了折叠预放电路的失调,从而为研制CMOS工艺中的高分辨率折叠结构A...
  • 18. 一种可适应复杂互连电容结构的边界元形体处理方法
    作者： 喻文健 王泽毅 王玉刚 陆涛涛 陈瑞明
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  214-220
    摘要： 针对当前集成电路中日益复杂的互连结构,提出了一种边界元电容提取中的形体处理方法,可适用于填充气隙、保形介质、多平面介质,以及任意复杂的寄生电容结构.在该处理方法中采用多叉树组织三维形体对象,...
  • 19. 无测试图形薄层电阻测试仪及探针定位
    作者： 刘东升 刘新福 孙以材 张艳辉 王静 陈志永
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  221-226
    摘要： 研制出检测ULSI芯片的薄层电阻测试仪,可用于测试无图形样片电阻率的均匀性,用斜置的方形四探针法,经显微镜、摄像头及通信口接入计算机,从计算机显示器观察,用程序及伺服电机控制平台和探针移动,...
  • 20. 多晶硅注氮制备4.6nm超薄栅介质
    作者： 张兴 程行之 许晓燕 谭静荣 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  227-231
    摘要： 为了改善深亚微米CMOS器件p+-poly栅中硼扩散问题,通过选择合适的注氮能量和剂量,采用多晶硅栅注氮工艺,既降低了硼在多晶硅栅电极中的扩散系数,又在栅介质内引入浓度适宜的氮,有效地抑制了...
  • 21. 有限元方法对SCSP粘结剂溢出问题的研究
    作者： 张奇 桑文斌 滕建勇 金玮
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  232-236
    摘要： 利用有限元分析方法对SCSP器件内部粘结剂的溢出问题进行了研究.对粘结剂不同溢出高度的模型进行有限元建模分析,模拟结果能很好地和实验结果相吻合.为了有效减少由热应力引发产生的分层,模拟得到了...
  • 22. 加强调控力度,促进学科均衡发展--国家自然科学基金2003年半导体科学领域申请项目概况分析
    作者： 何杰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2004年2期
    页码:  237-240
    摘要： 半导体科学经过几十年的迅猛发展,在基础研究和应用研究方面都取得了丰硕的成果.近年来在相关的基金申请项目中,涉及与其他学科相互交叉渗透的项目逐年增多,有关新材料、新器件的探索层出不穷.但各学科...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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