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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. Status and Trends in Advanced SOI Devices and Materials
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  573-582
    摘要：
  • 2. 两个介电函数模型的用法
    作者： 沈文忠 陈红
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  583-590
    摘要： 回顾了两个著名的广泛用于提取或参数化半导体和电介质材料光学常数的介电函数模型,即Forouhi-Bloomer和Tauc-Lorentz模型的历史、各种改进、各自特点和应用.在揭示它们内在特...
  • 3. 一种用于制备安德鲁反射样品的新方法
    作者： Bari M A Clifford E Coey J M D Langford R M 任聪 王天兴 韩秀峰 魏红祥
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  591-597
    摘要： 提供了一种用于安德鲁反射测量样品制备新方法.该方法采用聚焦粒子束刻蚀和磁控溅射,可以获得可控的、干净的、无应力的纳米接触用于自旋极化探测.所制备的样品中,磁性和非磁性材料样品的反射谱都表现出...
  • 4. 光学泵作用下两个耦合量子点的输运性质
    作者： 彭菊 温俊 王伯根 葛传楠
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  598-603
    摘要： 运用Keldysh格林函数,理论研究了在光学泵作用下的两个耦合量子点的电子输运性质.发现了电流-电压曲线上的平台结构以及透射系数的共振峰,可以由量子点的局域态密度来解释.讨论了光学泵的频率以...
  • 5. 弛豫时间对双势垒结构电子输运性质的影响
    作者： 倪军 戴振宏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  604-608
    摘要： 利用对双势垒器件非平衡态电子输运性质的含时动力学模拟计算,分析了弛豫时间对这类低维器件电子输运特性的影响.结果表明,由于电子-声子、电子-杂质和电子-缺陷等相互作用导致的弛豫时间对器件Ⅰ-Ⅴ...
  • 6. 立方氮化硼晶体的非线性伏安特性及电致发光
    作者： 张铁臣 曹昆 窦庆萍 贾刚 陈占国 马海涛
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  609-612
    摘要： 测量了夹在两个金属电极间的非故意掺杂的n型立方氮化硼(cBN)晶体的伏安特性,它们为非线性曲线.使用不同的电极测量了20多个cBN晶体的伏安特性,曲线的形状非常相似.在样品两端的电压值大约为...
  • 7. 单晶硅中过渡族金属镍对洁净区形成的影响
    作者： 吴冬冬 席珍强 杨德仁 钟尧 阙端麟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  623-626
    摘要： 研究了过渡族金属镍在快速热处理作用下对直拉单晶硅中洁净区形成的影响.实验结果发现:硅中魔幻洁净区(MDZ)形成后,氧沉淀及其诱生缺陷能有效地吸杂金属镍;而沾污金属镍的硅中,随后的快速热处理工...
  • 8. Terahertz Semiconductor Quantum Well Devices
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  627-634
    摘要：
  • 9. GaAsSb/InAlAs PA DHBTs Grown by Production MBE
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  635-640
    摘要：
  • 10. GaAs基RTD与MSM光电集成
    作者： 张世林 李益欢 梁惠来 毛陆虹 胡艳龙 郭维廉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  641-645
    摘要： 报道了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)与金属-半导体-金属光电探测器(MSM PD)单片集成的两种光电集成电路,并在室温条件下分别测试了RTD器件、MSM器件和集成电路的电学特性.测试表明...
  • 11. 一种补偿宽频带小数N频率合成器中Sigma-Delta整形噪声的新方法
    作者： 刘军华 廖怀林 张国艳 王阳元 石浩 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  646-652
    摘要： 提出了一种部分补偿Sigma Delta调制器整形噪声的新方案.通过在鉴频鉴相器中的延迟时段向无源滤波器中注入补偿电流,最大可实现16dB的噪声补偿.与其他补偿方案相比,文中提出的方案相对简...
  • 12. 一种解决无线局域网直下变频接收机直流漂移的方法
    作者： 徐化 石寅 胡雪青 许奇明 陈弘达 颜峻 高鹏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  653-657
    摘要： 提出了一种符合IEEE802.11a无线局域网的5GHz直下变频接收机解决直流漂移的方法.该方法利用双平衡混频器输出端的模拟反馈环路消除直流漂移.该混频器经过测试,在5.15GHz频率下具有...
  • 13. 表面镀铜悬浮厚单晶硅螺线MEMS电感
    作者： 吴文刚 张少勇 李志宏 李轶 郝一龙 韩翔 黄风义
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  662-666
    摘要： 报道了一种由悬浮在玻璃衬底上的表面镀铜平面单晶硅螺线构成的新型MEMS电感,可消除衬底损耗及减小电阻损耗.采用一种硅玻璃键合-深刻蚀成型释放工艺并结合无电镀技术制作该电感,形成厚约40μm的...
  • 14. 射频CMOS平面螺旋电感2-π等效电路模型参数的提取
    作者： 余志平 高巍
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  667-673
    摘要： 从有理分式拟合方法出发,提出了用于射频CMOS平面螺旋电感2-π等效电路模型参数提取的新方法.通过比较提参后等效电路给出的S参数和实验测量的S参数,证明该方法的精度很高.此外,提参的策略非常...
  • 15. 有机掺杂电致磷光器件中主客体间的能量转移几率
    作者： 代国章 戴小玉 李宏建 欧阳俊 潘艳芝 谢强
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  674-678
    摘要： 提出了有机掺杂电致磷光器件中主体(TPD)与客体(Ir(ppy)3)间的能量转移几率表达式,并对能量转移过程进行了讨论.结果表明:(1)三态激子能量转移率(KHG,KGH)随主客体分子间距离...
  • 16. 短腔长单模量子级联激光器
    作者： 刘俊岐 刘峰奇 李路 王占国 路秀真 邵晔 郭瑜
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  679-682
    摘要： 报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器...
  • 17. 谐振式光纤陀螺开环响应测试
    作者： 丁纯 张旭琳 金仲和 马慧莲
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  688-691
    摘要： 谐振式光纤陀螺是基于光学Sagnac效应来测量载体旋转角速度的一种新型传感器.利用调相谱检测技术,建立了谐振式陀螺的开环响应测试系统.利用自行研制的锁相放大器和反馈控制电路,得到了线性度很好...
  • 18. 30Gbit/s并行光接收模块
    作者： 唐君 裴为华 贾九春 陈弘达
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  696-699
    摘要： 报道了一种基于CMOS工艺接收电路芯片和GaAs工艺1×12光电探测器阵列的30Gbit/s并行光接收模块.该模块采用并行光通信方案,利用中高速光电子器件实现信号的高速传输.直接使用未经封装...
  • 19. 用于视网膜修复的光电脉冲频率调制电路
    作者： 刘金彬 裴为华 陈弘达 隋晓红 高鹏
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  700-704
    摘要： 提出了一种用于视网膜修复的脉冲频率调制电路结构.该电路产生频率正比于入射光强度的电脉冲序列.论证分析了该电路的基本特性,并基于0.6μm CMOS工艺进行了流片.仿真结果表明,该电路可以应用...
  • 20. 集成电路和微电子机械系统加工过程中的光刻工艺模拟
    作者： 周再发 李伟华 黄庆安
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  705-711
    摘要： 基于3D元胞自动机方法实现了影像成形、曝光、后烘和光刻胶刻蚀过程等集成电路和微电子机械系统加工过程中的光刻过程模拟模块的集成.模拟结果与已有实验结果一致,表明基于3D元胞自动机方法的后烘和光...
  • 21. 金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性
    作者： 张匡吉 张荣 施毅 濮林 郑有炓 鄢波 韩平
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  712-716
    摘要： 研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/a-Si量子点多层结构,...
  • 22. ZnSe纳米晶材料的超快吸收谱
    作者： 陆昉 黄仕华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  717-720
    摘要： 通过改进的溶剂热方法,以KBH4作为还原剂,在三乙胺溶液介质中制备了ZnSe纳米晶材料.与ZnSe体材料相比,其纳米材料的稳态吸收边发生了蓝移,而且纳米颗粒的尺寸越小,蓝移量越大,这是由于随...
  • 23. 金属诱导生长法在Ni硅化物上异质生长多晶GeSi薄膜
    作者： 刘国军 叶志镇 吴贵斌 赵星 赵炳辉
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  721-724
    摘要： 采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法,低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜.利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜等对多晶GeSi薄膜的晶体质量、表面形貌进行了表征,研究了...
  • 24. 色散效应对GaAs太阳电池双层减反射膜的影响
    作者： 彭长涛 戴瑞烜 王鹏 白一鸣 陈诺夫
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  725-729
    摘要： 考虑双层减反射膜材料的折射率色散效应,采用光学干涉矩阵法计算了SiO2/ZnSe和SiO2/ZnS两种GaAs太阳电池双层减反射膜的反射率与波长的函数曲线,以及加权平均反射率随着顶层减反射膜...
  • 25. 具有n+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析
    作者： 张波 李肇基 段宝兴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  730-734
    摘要： 针对薄外延横向功率集成技术的发展,提出一种降低体内电场REBULF(REduced BULk Field)的新耐压技术,并设计了一例具有n+浮空层的REBULF LDMOS新结构.新耐压机理...
  • 26. 基于类渗流导电的超薄栅氧化层软击穿后的电流模拟
    作者： 段小蓉 王彦刚 许铭真 谭长华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  735-740
    摘要： 研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(soft breakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式--类渗流导电公式.该公...
  • 27. 键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器
    作者： 于丽娟 杜云 赵洪泉 黄永箴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  741-743
    摘要： 在硅基上成功地制备出了1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起.剥...
  • 28. 紫外写入技术制备光波导器件研究
    作者： 吴远大 夏君磊 安俊明 李建光 王红杰 胡雄伟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  744-746
    摘要： 研究了采用PECVD方法生长的Si基SiO2波导材料的光敏特性.经过高压载氢处理,利用KrF准分子激光脉冲(工作波长为248nm)在波导材料中诱导出的折射率变化量达到0.005,相对值约增加...
  • 29. 垂直腔面发射激光器的TO封装的耦合效率模拟分析
    作者： 刘超 王欣 祝宁华 袁海庆 钟宝暶
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  751-755
    摘要： 采用FRESNEL光学软件和MATLAB软件,详细分析了垂直腔面发射激光器的TO封装组件对耦合效率的影响.发现增加耦合透镜的折射率、减少管帽的高度和耦合透镜的尺寸可以提高耦合效率.
  • 30. 投稿须知
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2006年4期
    页码:  763-764
    摘要：

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

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1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
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