半导体学报(英文版)期刊
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8

半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
文章浏览
目录
  • 作者: 朱巧智 王德君 王海波 赵亮 陈素华 马继开
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  944-949
    摘要: 采用角依赖X射线光电子谱技术(ADXPS)对高温氧化SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的组成、成分分布等进行了研究.通过控制1%浓度HF酸刻蚀氧化膜的时间,制备出超薄膜(1~1.5...
  • 作者: 于欣 宋瑞良 张世林 梁惠来 毛陆虹 牛萍娟 王伟 郭维廉
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  950-953
    摘要: 根据RTD峰值电压VP与串联电阻RS、外加电阻Rex的关系,提出一种新的测量RTD串联电阻RS的方法.实验证明该方法具有准确、简便、快速等特点.文中给出VP与RS,Rex关系的推导,RS测量...
  • 作者: 杨震宇 王明湘 王槐生
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  954-959
    摘要: 采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布.通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响.确认...
  • 作者: 任铮 王勇 胡少坚 蒋宾 赵宇航
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  960-964
    摘要: 针对IMEC 0.13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管,在25~125℃温度范围内,对其进行了包括Early电压,Gummel图形...
  • 作者: 丁晓明 傅义珠 康小虎 李相光 王佃利 王因生 盛国兴
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  965-969
    摘要: 报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果.该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术,器件在1.46~1.66GHz频带内,脉宽200μs...
  • 作者: 于虹 张加宏 雷双瑛 黄庆安
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  970-974
    摘要: 考虑量子尺寸效应与自旋轨道耦合作用,从含有应变的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量出发,采用有限差分方法建立了p型硅纳米板的能带结构模型.基于硅纳米板压阻特性与其能带结构的相关性,...
  • 作者: 吴昌聚 王跃林 金仲和 金小军
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  975-979
    摘要: 从微沟道的加工工艺出发,建立了一套利用静压驱动微流体的测试方法.该方法比较容易实现压差的恒定.分析了不同因素如压差、工作流体类型、温度等因素对流体流动特性的影响,既得到了一些和宏观流体相同的...
  • 作者: 刘明 张庆钊 朱效立 李兵 谢常青 陈宝钦
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  980-983
    摘要: 对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数--下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀...
  • 作者: 侯斌 李君飞 申发华 胡玥 饶海波
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  984-987
    摘要: 基于水溶性感光胶的白光LEDs平面涂层技术,在蓝光LED芯片表面上得到了可控的荧光粉层.采用降低粉浆中ADC的浓度和提高荧光粉的含量两种措施,减少Cr3+在433.6和620nm两处吸收对器...
  • 作者: 刘帘曦 史斌 朱樟明 杨银堂 过伟
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  988-992
    摘要: 基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上....
  • 作者: 周玉梅 戴澜 胡晓宇 蒋见花
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  993-997
    摘要: 校准系统是实现高精度高速度流水线ADC的关键技术之一.论文对流水线ADC结构进行描述,对误差来源进行分析,并且对通过计算每级转换函数跳变点高度来得到权重的校准算法进行研究,最后提出校准算法实...
  • 作者: 冯侨华 孙墨杰 施云波 施云芬
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  998-1002
    摘要: 针对含磷毒气快速检测问题,以自制的杂化酞菁钯.聚苯胺为敏感膜材料,设计了一种双信道声表面波(SAW)传感器.阐述了传感器的基本原理,推导出以有机膜作为信道中间介质时,差频输出△f由物理化学吸...
  • 作者: 唐长文 袁路 闵昊
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  1003-1009
    摘要: 设计了一个应用于数字电视调谐器的宽带电感电容压控振荡器.该振荡器包含了一个开关可变电容阵列,用以抑制调谐增益的变化.整个电路采用0.18μm CMOS工艺实现.测试结果表明:压控振荡器的频率...
  • 作者: 杨华中 杨斌 殷秀梅 魏琦
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  1010-1015
    摘要: 介绍了一个精度和速度可编程、但不需要改变运算放大器偏置电流的流水线模数转换器,实现了8~11bit和400k~40MSa/s的程控范围.提出了一种新颖的预充型开关运放,在降低功耗的同时,可以...
  • 作者: 叶甜春 李志刚 杨清华 焦海龙 陈岚
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  1016-1021
    摘要: 提出了一种对标准单元的光学邻近效应校正结果进行复用的方法,并通过将传统标准单元中的所有核心逻辑通过反相器和二选一多路选择器的组合来实现,得到了一套可制造性强的精简标准单元库,从而使OPC复用...
  • 作者:
    发表期刊: 2008年5期
    页码:  1024-1025
    摘要:
  • 作者: 任春江 张斌 焦刚 郑维彬 陈堂胜 陈辰
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1027-1030
    摘要: 报道了研制的SiC衬底AIGaN/GaN HEMT微带结构微波功率MMIC,芯片工艺采用凹槽栅场板结构提高AlGaN/GaNHEMTs的微波功率特性.S参数测试结果表明AlGaN/GaN H...
  • 作者: 刘永 刘永智 张尚剑 张谦述 李和平
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1031-1035
    摘要: 提出了一种新的基于半导体光放大器非线性偏振旋转效应的全光采样方法,利用速率方程对全光采样的理论机理进行了阐述.借助该速率方程模型对采样器的输入偏振角、偏振控制器的附加相移和偏振合束器的偏振方...
  • 作者: 刘刚 刘梦新 李多力 赵发展 赵超荣 韩郑生
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1036-1039
    摘要: 报道了一种制作在SIMOX晶圆之上的总计量加固的2μm部分耗尽SOI CMOS 3线-8线译码器电路,其辐照特性由晶体管的阚值电压、电路的静态泄漏电流以及电流电压特性曲线表征.实验表明,该译...
  • 作者: 曹寒梅 杨银堂 王宗民 蔡伟 陆铁军
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1040-1043
    摘要: 提出了一种能够传输高速信号的多路选择器,并为其设计了一种低失真、宽带模拟开关.所提出开关的栅源过驱动电压由nMOS和pMOS的开启电压之和决定,并能够确保输入变化时,开关的栅源电压与阈值电压...
  • 作者: 张春 池保勇 王志华 高同强
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1044-1047
    摘要: 针对一种特定的射频识别技术的通讯协议(ISO1800-6B),提出了一种应用于射频识别读写器中的发射机前端结构,以实现发射信号的OOK调制.采用0.18μm CMOS工艺实现的这种高效率、高...
  • 作者: 朱骏 赵宇航
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1048-1051
    摘要: 通孔消失是困扰半导体生产的难点之一.它与产品的生产合格率息息相关,正因为如此这一问题一直摆在业界工程师面前.由于这一问题的成因较多,故在分析和解决问题上存在诸多困扰.本文实验并分析了多种通孔...
  • 作者: 方晓东 朱雪斌 李达 董伟伟 邓赞红 陶汝华
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1052-1056
    摘要: 采用溶胶.凝胶法制备了铜铁矿结构CuxAlO2陶瓷体材.当1≤x<1.04时,样品为纯铜铁矿相,当x≥1.04时,样品中出现了微弱的CuO相.样品Cu1.04AlO2的室温电导率比名义组分C...
  • 作者: 张杨 杨富华 杨香 王颖 韩伟华
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1057-1061
    摘要: 利用电子束光刻和各向异性湿法腐蚀技术,在(100)SOI衬底上成功地制备出晶面依赖的硅纳米结构.这项技术利用了硅的不同晶面在碱性腐蚀溶液中具有不同腐蚀速率的特性.纳米结构脊部宽度的最小尺寸可...
  • 作者: 余长亮 宋瑞良 毛陆虹 郭维廉
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1062-1065
    摘要: 通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT).根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地, 集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT的电流起到明显的控制作用.当集电极接地,栅极电压...
  • 作者: 刘新宇 刘键 和致经 庞磊 曾轩 李诚瞻 王冬冬 郑英奎 黄俊
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1066-1069
    摘要: AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性虽然被大量报导,但其电流崩塌现象仍是一个令人困扰的问题,作者通过实验证明了导致其电流崩塌的一个因素.两个AlGaN/GaN样片被分别放在纯氮气和掺碳...
  • 作者: 周益春 唐俊雄 唐明华 张俊杰 杨锋 郑学军
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1070-1074
    摘要: 利用二维模拟软件对部分耗尽SoI器件中的非对称掺杂沟道效应进行了模拟.详细地研究了该结构器件的电学性能,如输出特性,击穿特性.通过本文模拟发现部分耗尽SOI非对称掺杂沟道相比传统的部分耗尽S...
  • 作者: 彭应全 李训栓 杨青森 袁建挺 赵明 邢宏伟 马朝柱
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1075-1080
    摘要: 通过对器件的温度特性的研究,能够使器件在合适的温度下保持稳定的工作状态.本文以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础,建立了有机-有机界面限制电流传导的电荷传输的解析模型.依据此模...
  • 作者: 孙震海 韩瑞津
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1081-1087
    摘要: 对喷雾清洗过程中微颗粒所受到的流体力进行了研究.由于液滴撞击在平面上产生的不稳定流, 无法用现有的层流作用力公式来预测颗粒所受到的作用力,本文采用了计算流体力学模拟的方法对流场分布进行了模拟...
  • 作者: 丁海涛 张美丽 杨振川 闫桂珍
    发表期刊: 2008年6期
    页码:  1088-1093
    摘要: 针对反应离子深刻蚀中硅/玻璃键合结构的footing效应问题,用实验方法进行了研究.通过2~4和0.01~0.03Ω·cm两种不同电导率的硅结构过刻蚀的对比,以及对50,20和5μm三组不同...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

半导体学报(英文版)统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊