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发光学报期刊
出版文献量（篇）
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29396

发光学报

Chinese Journal of Luminescence
曾用名： 发光与显示

CACSCDEIJSTSACSTPCD

影响因子 0.7953
本刊主要反映我国发光学领域中在科研、技术和生产中的学术成就，开展国内外的学术交流，提高该领域内从事科研、教学、生产人员的技术水平。
主办单位：
中国物理学会发光分会 中科院长春光机所
期刊荣誉：
2000年获中科院优秀科技期刊二等奖  2001年首批进入期刊方阵  2004年被选入中国科技期刊精品库 
ISSN：
1000-7032
CN：
22-1116/O4
出版周期：
月刊
邮编：
130033
地址：
长春市东南湖大路16号
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  • 1. YAG:Ce蓝光转换材料的合成和发光性质研究
    作者： 于海东 任敏 姚光庆 林建华 段洁菲
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  21-23
    摘要： 铈激活的钇铝石榴石(YAG:Ce)由高温固相反应制备.样品证明为纯的的石榴石物相.YAG:Ce的激发光谱为双峰结构,主要激发峰在460nm,与GaN的蓝光发射匹配.YAG:Ce的发射光谱为一...
  • 2. GaN基白光LED的研制与特性
    作者： 唐英杰 张国义 杨志坚 王宇方
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  91-94
    摘要： 本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管(W-LED).在室温、正向电流2...
  • 3. 一种改进的用于GaN的X射线动力学衍射理论模型
    作者： 罗毅 郝智彪 郭文平
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  71-74
    摘要： 本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确.一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达式进行了拟合,从拟...
  • 4. GaN基紫外探测器的研究与制备
    作者： 冯志宏 刘素英 张书明 朱建军 杨辉 段俐宏 赵德刚
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  87-90
    摘要： 报道了用MOCVD方法在GaAs衬底上制作p-GaN/InGaN/n-GaN结构紫外探测器.我们对器件进行了测试分析.根据器件光伏信号强度和相位的测量结果,我们得到了该器件的能带结构图.我们...
  • 5. InGaN基发光二极管和激光二极管
    作者：
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  48-52
    摘要： 在InGaN发光二极管中,尽管存在着大量的位错,但其效率还是相当高的.用InGaN作为有源层是很重要的.在InGaN基LED的情况下,为产生光发射需要较高的激发功率.横向大面积外延生长的Ga...
  • 6. MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究
    作者： 张国义 秦志新 童玉珍 陆曙 陈志忠
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  43-47
    摘要： 利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇...
  • 7. InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱
    作者： 丁晓民 张国义 杨志坚 秦志新 童玉珍 陈志忠
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  38-42
    摘要： 我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和...
  • 8. 氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究
    作者： 刘祥林 汪度 王占国 王晓军 陆大成 韩培德
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  33-37
    摘要： 用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究.发现当衬底表面是向籽晶面时,生长的六方相氮化镓薄...
  • 9. 侧向外延生长GaN的结构特性
    作者： KUAN T S 修向前 卢殿清 张荣 施毅 沈波 郑有炓 顾书林
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  53-56
    摘要： 研究了在刻有图形的GaN"衬底”上用HVPE方法侧向外延生长(ELO)GaN的结构特性.在SiO2衬底上侧向外延生长GaN已经实现,并得到了平面的ELO GaN薄膜.采用扫描电子显微镜、透射...
  • 10. 在ELO-GaN衬底上生长的AlGaInN高功率激光器
    作者：
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  83-86
    摘要： 在ELO-GaN基层上用激光进行条状化处理,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度.其结果是可使激光二极管的寿命,在50℃,30mW输出的连续工作条件下超过1 000...
  • 11. 用于Ⅲ族氮化物生长的紧配合喷淋头反应器
    作者：
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  103-106
    摘要： 在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料.近年来,氮化物基的LED的制备成功,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力.人们对用...
  • 12. TurboDisc MOCVD设备的理论和应用:流体动力学方法
    作者：
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  99-102
    摘要： 报道了EMCORE公司的旋转盘反应器,或TurboDisc反应器,这是一种带有旋转盘的立式反应器.衬底片放置在高速旋转的盘上并被加热到合适的生长温度.反应物在初始阶段因高速旋转盘的牵引力被竖...
  • 13. 电容-电压法研究AlxGa1-xN/GaN异质结压电极化效应
    作者： Arakawa Y Someya T 俞慧强 刘杰 周慧梅 周玉刚 张荣 施毅 沈波 郑有炓
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  61-66
    摘要： 制备了基于调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的Pt/Al0.22Ga0.78N/GaN肖特基二极管.由于Al0.22Ga0.78N势垒层中的极化场不同,不同Al0.22Ga0....
  • 14. AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究
    作者： Arakawa Y Someya T 刘杰 周慧梅 张荣 施毅 沈波 蒋春萍 褚君浩 郑国珍 郑有炓 郑泽伟 郭少令 钱悦
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  67-70
    摘要： 在1.5K低温和0～9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质.实验结果在4块样品中都观察到了Shubnikov-da HaSS振荡的双周期行为.表明异质结的三角势阱...
  • 15. MOVPE生长氮化物四元系的热力学考虑
    作者： 段树坤 陆大成
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  13-16
    摘要： 本文提出了一个MOVPE生长GaxAlyIn1-x-yN的膺热力学分析模型.假设此合金是由Ⅲ族元素与NH3之间反应生成的.为了计算氨分解的影响,在模型中引入了氨分解率的概念,质量守恒方程是用...
  • 16. 用MOVPE方法外延生长Si掺杂的立方相GaN
    作者：
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  1-4
    摘要： 用MOVPE方法采取一种两步生长过程生长了未掺杂和Si掺杂的GaN.在生长了一个20nm厚的缓冲层后,外延生长了1μm厚的立方GaN外延层.利用二次离子质谱测定了掺杂的程度.并用X射线衍射和...
  • 17. 用大面积立式旋转盘MOVPE反应器生长Ⅲ族氮化物材料
    作者：
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  95-98
    摘要： 为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器.本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的立式反应器,其中的衬底片载盘直径为325mm.每次沉积过程中...
  • 18. MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析
    作者： 徐卓 李爱珍 苑进社 陈光德 齐鸣
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  75-78
    摘要： 用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延(MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为表面污染,而O形成一定...
  • 19. Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征
    作者： Arakawa Y Someya T 刘杰 刘治国 周慧梅 周玉刚 张荣 施毅 李卫平 毕朝霞 沈波 郑有炓 郑泽伟
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  57-60
    摘要： 通过在调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属-铁电-半导体...
  • 20. 三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响
    作者： 刘祥林 汪度 王占国 王晓晖 袁海荣 陆大成 陈振 韩培德
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  17-20
    摘要： 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜.研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响.对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量,光致发光法测试...
  • 21. 用N2-H2等离子体氮化GaAs衬底对ECR-PEMOCVD生长立方GaN的影响
    作者： 徐茵 杨大智 王三胜 秦福文 隋郁 顾彪
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  24-28
    摘要： 我们研究了采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVE)技术在GaAs(001)衬底上外延生长立方GaN的过程中衬底氮化条件对外延膜生长的影响.发现氮化时在氮等离...
  • 22. X射线分析氢化物汽相外延法生长GaN薄膜
    作者： 周劲 唐英杰 张国义 杨志坚
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  79-82
    摘要： 氮化物研究在90年代取得显著进步,成功制造出蓝色发光二极管和激光二极管.由于氮化镓与衬底(如:蓝宝石,碳花硅)间存在大的晶格常数和热膨胀系数失配,外延膜中有非常高的位错密度.研究氢化物汽相外...
  • 23. 用Mg离子注入提高p型GaN的空穴浓度
    作者： 张国义 杨志坚 龙涛
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  10-12
    摘要： 研究了离子注入对金属有机化学气相淀积法生长的Mg掺杂GaN性质的影响.样品在800℃退火1小时后,我们获得了空穴浓度达8.28×1017cm-3的p型 GaN.这一结果可以用于GaN基器件的...
  • 24. 在GaN生长初期形貌发展的观察
    作者： 刘祥林 汪度 王晓晖 袁海荣 陆大成 陈振 韩培德
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  29-32
    摘要： 报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化.形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段.利用原子力显微镜有数字化记录的特点,从...
  • 25. 在6H-SiC衬底上用低压MOVPE法生长AlN和GaN的过程中用(AlN/GaN)多层缓冲层来控制残余应力
    作者：
    刊名： 发光学报
    发表期刊： 2001年z1期
    页码:  5-9
    摘要： 人们已提出用BAlGaN四元系材料制备紫外光谱区的光发射器件.GaN和AlN二元系是这种四元材料在器件应用中的基础材料.6H-SiC衬底在氮化物生长中因其晶格失配小是一大优势,而且SiC衬底...

发光学报基本信息

刊名 发光学报 主编 申德振
曾用名 发光与显示
主办单位 中国物理学会发光分会 中科院长春光机所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1000-7032 CN 22-1116/O4
邮编 130033 电子邮箱 fgxbt@126.com
电话 0431-86176862，84613407 网址 www.fgxb.org
地址 长春市东南湖大路16号

发光学报评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 2000年获中科院优秀科技期刊二等奖
2. 2001年首批进入期刊方阵
3. 2004年被选入中国科技期刊精品库

发光学报统计分析

被引趋势
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