微电子学期刊
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微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 作者: 朱樟明 杨银堂
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  1-3,8
    摘要: 基于无缓冲差分输出电流舵D/A转换器,建立电流源及输出电路的s域线性模型,分析输入码变化所引起的输出跨导的变化,以及对输出电流的影响.采用直流和交流量分离的方法,利用傅里叶级数,获得输出跨导...
  • 作者: 宁彦卿 王志华 陈弘毅
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  4-8
    摘要: 回顾了对MOS LC差分振荡器的认识现状.通过简单的推导和Van der Pol方程现有结论,得到了交叉耦合MOS特性对振荡器性能的影响.这些结论包括:1)起振条件;2)输出幅度与参数间的解...
  • 作者: 刘玉奎 张正元 徐世六 税国华 胡明雨
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  9-11,15
    摘要: 提出一种以电阻发热实现梁激励的单梁硅基谐振型压力传感器结构.利用硅/硅键合、减薄抛光和IC工艺技术,开展硅基谐振型压力传感器技术的研究,解决了三维体加工与IC工艺兼容的关键技术问题,成功地研...
  • 作者: 伍冬 冀康灵 刘志弘 朱钧 潘立阳 肖方兴
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  12-15
    摘要: 设计了一个1 kb EEPROM IP电路,包括1.2 μm EEPROM工艺和EEPROM IP电路的设计.通过对电路结构的改进和对电路的优化设计,达到了低压低功耗的要求,并可以在较大的电...
  • 作者: 林涛 焦孟草 石磊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  16-18,26
    摘要: 提出了一种H.264/AVC硬件解码器的SOC/ASIC设计方案,并在实现电路的基础上,重点分析了基于文中的硬件设计方案的验证策略.该设计方案已经在基于FPGA的验证平台上通过功能原型验证,...
  • 作者: 冯建 石红 蒲大勇 谭开洲
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  19-22,29
    摘要: 介绍了一种集成低压铁氧体驱动器和功率MOS管的单片集成电路.其内建驱动器工作电压9 V,功率MOS管极限电压大于80 V,工作电流3 A.该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑...
  • 作者: 刘道广 张万荣 张正元 张静 徐学良 王健安 金冬月 陈光炳 高攀
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  23-26
    摘要: 对Si/Si1-xGex HBT的低频噪声进行了模拟.频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都对低频噪声有影响.模拟结果表明,Si/SiGe H...
  • 作者: 刘道广 张万荣 张正元 张静 徐学良 王健安 邱建军 金冬月 陈光炳
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  27-29
    摘要: 基于器件Y参数,对Si/Si1-xGex HBT的高频噪声进行了模拟.Si/Si1-xGex HBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小.与Si BJT相比,Si/SiGe HBT具有...
  • 作者: 廖小平
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  30-32
    摘要: 在提出0.18 μm射频SOI LDMOS功率器件研究方法的基础上,对工艺进行了设计,并制备了栅宽为1 200 μm,栅长为0.7 μm,漏的注入区与栅的距离为1.5 μm的0.18 μm射...
  • 作者: 刘志弘 单一林 张伟 李希有 李翊 熊小义 许军 钱佩信 陈长春
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  33-35
    摘要: 实验分别测量了Ti-Si0.84Ge0.16与Ti-Si系统在依次经历700 ℃及730~900 ℃两步退火后的方块电阻.对比结果表明,Ti的锗硅化物与Ti的硅化物具有不同的温度特性.造成这...
  • 作者: 任芳 刘嵘侃
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  36-37,42
    摘要: 介绍了制版工艺中常见的缺陷类型,分析了缺陷产生与温湿度的关系.通过实际工作应用,就缺陷控制的办法进行了有益的探讨,对光掩模版的制造有一定的指导意义.
  • 作者: 冯晖 杨华中 钟晓征
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  38-42
    摘要: 给出了一种基于遗传算法的片上螺旋电感宽带电路模型优化方法.通过对螺旋电感Y参数变化规律的分析,首先给出一种能够工作在高频段的电路模型结构.对每个频段内电路模型的参数优化被认为是一个误差最小化...
  • 作者: 徐曦 胡健栋 许献国 赵刚
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  43-45,48
    摘要: 在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法--伪闭锁路径法.文章介绍了这种方法的基本原理,开发了一种抗闭锁电路实例.运用计算机仿真分析技术开发的抗闭锁电路,可以实现体硅...
  • 作者: 刘玉岭 周建伟 李薇薇 檀柏梅 王娟
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  46-48
    摘要: 对SiO2磨料抛光蓝宝石衬底片进行了研究.结果表明,采用大粒径、高浓度的SiO2磨料抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率.抛光的适宜温度及pH值条件为:T=30 ℃;12.0>pH值...
  • 作者: 曾献君 胡建国 邢座程 陈亮
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  49-51,55
    摘要: 针对CPU设计的特点,建立完善的验证平台对CPU的验证至关重要.介绍了CPU验证平台一般形式和特点,提出了面向高性能CPU功能验证的全芯片验证平台的结构和构造方法,阐述了基于硬件加速器的CP...
  • 作者: 崔庆林 蒋和全
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  52-55
    摘要: 高速A/D转换器是电子器件中比较特殊而又关键的器件.关于高速A/D转换器的动态参数测试方法比较多,文章主要讨论相干采样与加窗采样在高速A/D转换器参数测试中的应用,两种方法各自的优缺点,以及...
  • 作者: 李晓红 邓永芳
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  56-59
    摘要: 通过对密封器件内部多余物的检测、提取和成分分析,总结出多余物的检测和提取方法,对各种方法的优缺点进行了评价.
  • 作者: 邹志革 邹雪城 黄峰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  60-65,69
    摘要: 低压、低功耗模拟集成电路设计受到多种因素的制约.围绕这些制约因素,回顾了国内外在模拟集成电路低压、低功耗设计领域的方法和技术的发展现状,主要涉及:轨对轨设计技术、亚阈值工作区技术、阈值电压降...
  • 作者: 孙宝德 戴永兵 王俊 言益军
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  70-74
    摘要: 对准分子激光晶化制备TFT用多晶硅薄膜的研究进展进行了综述.介绍了晶化过程中的超级横向生长现象.主要结合各种基于光束调制和光刻技术的人工控制超级横向生长方法,讨论了获得大晶粒尺寸优质多晶硅薄...
  • 作者: 亢宝位 田波 程序
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  75-79,83
    摘要: 对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍.以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍.
  • 作者: 刘三清 张宾 邹雪城 陈晓飞
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  80-83
    摘要: 设计了一种改进结构的用于锂离子和锂聚合物电池充电管理芯片的高精度、宽电源电压范围LDO线性稳压电路,电路采用0.8 μm N阱BiCMOS高压工艺制作.Hspice仿真结果表明,在温度从-2...
  • 作者: 唐新伟 朱国军 李肇基
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  84-86
    摘要: 由于功率集成电路功率耗散比较大,发热量也大,因此,过热保护电路对于功率集成电路是非常重要的.文章介绍了一种用于集成电路内部的带热滞回功能的过热保护电路.电路不使用齐纳二极管和迟滞比较器,通过...
  • 作者: 王纪民 邓兰萍
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  87-89
    摘要: 使用专门设计的LDMOS高压器件,实现了一个具有高压驱动能力(±150 V)和大增益(>80 dB)的CMOS运算放大器.模拟结果显示,N沟道和P沟道LDMOS晶体管的最大击穿电压都超过了3...
  • 作者: 唐长文 谭珺 闵昊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  90-93
    摘要: 设计了一种高速采样保持电路.该电路采用套筒级联增益自举运算放大器,可在达到高增益高带宽的同时最大程度地减小功耗;优化了采样开关,获得了良好的线性度,减少了输出误差;电路的采样频率达到100 ...
  • 作者: 于宗光 唐玉兰 陶伟
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  94-96,100
    摘要: 分析了一种16位高速DSP中增强型同步串口的帧格式及其接口和功能;详细讨论了同步串口的系统级和行为级的设计过程.利用Verilog,设计出同步串口的电路;并通过计算机仿真和实验,证明了设计的...
  • 作者: 张宝君 张海军 朱樟明 杨银堂
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  97-100
    摘要: 提出了一种基于准浮栅技术的新型折叠差分结构,其偏置电流源的电压降被折叠到输出电压摆幅中,且不受共模输入电压限制而达到较大范围,非常适于低压应用.基于此结构,实现了一种超低压运算放大器.仿真分...
  • 作者: 余宁梅 王磊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  101-104
    摘要: 从优化电路结构出发,提出并设计了一种工作于3.8 GHz的低噪声放大器.与传统级联结构相比,该电路引入了级间匹配网络.级间匹配网络的实现,可以使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到...
  • 作者: 何津津 杨莲兴 陈奇
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  105-107
    摘要: 在考察802.11b标准MAC协议的基础上,提出了MAC芯片设计的构架,并在设计中加入低功耗考虑因素,其中特别就作为控制模块的状态机的低功耗设计方法进行了尝试.通过仿真和验证,可以看到,在充...
  • 作者: 冯全源 孙毛毛
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  108-110
    摘要: 设计了一个共源共栅运算跨导放大器,并成功地将其应用在一款超低功耗LDO线性稳压器芯片中.该设计提高了电源抑制比(PSRR),并具有较高的共模抑制比(CMRR).电路结构简单,静态电流低.该芯...
  • 作者: 刘武 邵诗逸 陈文元 黄晓刚
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2006年1期
    页码:  111-113,117
    摘要: 介绍了基于MEMS技术的磁悬浮转子微陀螺的旋转原理,进行了针对旋转力矩的仿真;在此基础上,给出了相应实现方案的指标分析和系统设计.经过实际测试,旋转驱动后,微陀螺可以得到均匀快速的旋转效果,...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

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2. 信息产业部优秀电子科技期刊

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