SiGe/Si HBT高频噪声特性研究

• 作者: 刘道广 张万荣 张正元 张静 徐学良 王健安 邱建军 金冬月 陈光炳
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 异质结晶体管 高频噪声
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 27-29
• 页数: 3页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 1830字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.008

摘要

基于器件Y参数,对Si/Si1-xGex HBT的高频噪声进行了模拟.Si/Si1-xGex HBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小.与Si BJT相比,Si/SiGe HBT具有优异的高频噪声特性.