0.18 μm射频SOI LDMOS功率器件的研究

• 作者: 廖小平
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 射频 SOI LDMOS 功率器件
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 30-32
• 页数: 3页
• 分类号: TN31
• 字数: 2393字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.009

摘要

在提出0.18 μm射频SOI LDMOS功率器件研究方法的基础上,对工艺进行了设计,并制备了栅宽为1 200 μm,栅长为0.7 μm,漏的注入区与栅的距离为1.5 μm的0.18 μm射频SOI LDMOS功率器件.对器件进行了测试和模拟,在工作频率为3 GHz,直流偏置电压VDS为3 V,VGS为1.5 V,输入功率Pin为5 dBm时,Pout、增益和PAE分别为15 dBm、10 dB和35%.