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微纳电子技术2012年出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
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22
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16974
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1. 纳电子学的发展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 进入21世纪,2004年集成电路的特征尺寸已进入90 nm节点,标志着微电子进入一个新的纪元,即进入了纳电子时代.介绍和总结了纳电子的新进展,包括纳电子的两条发展技术路线:其一是继续按自上而...
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2. 信息动态刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年1期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 不加入任何表面活性剂、利用溶解-重结晶原理合成了一维结构的Se纳米带,并用XRD,SEM及TEM等方法对产品进行了表征.以单根的硒纳米带为光电响应材料、以银浆为接触电极组装成纳米器件,并对光...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 主要介绍了两种高效前结背接触太阳电池即金属电极绕通(metal wrap through,MWT)太阳电池和发射极电极绕通(emitter wrap through,EWT)太阳电池的基本结...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 以巯基乙酸(TGA)为配位剂合成了水溶性CdSe量子点,研究了反应时间、溶液pH值及前驱体溶液中镉元素与硒元素的摩尔比对量子点光学性能的影响.以L-半胱氨酸(L-cys)、巯基乙酸和巯基乙胺...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜.利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,利用四探针测...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年1期页码:摘要： CoSiN薄膜可以作为超大规模集成电路Cu布线互连材料使用.利用磁控溅射技术制备了CoSiN/Cu/CoSiN/SiO2/Si薄膜,利用四探针测试仪、薄膜测厚仪、原子力显微镜、X射线光电子能...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了一种电压控制方法有效地缩短了开关的释放时间,提高了开关的速度.这种方法无需修改器件设计,仅需要调整偏置电压变化形式,用线性压降替代传统的阶跃压...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 基于单壁碳纳米管(SWCNT)的场效应气体传感器由于具有传感性能好、体积小、室温操作和加偏压自我解吸附等优良性能,有着广泛的应用前景.利用单壁碳纳米管自组装技术在SiO2/Si基底上制备均匀...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 安装误差和温度是MEMS微惯性组合的主要误差源,这两种因素所引起的误差通常占系统总误差的90％以上.通过对微惯性组合的安装误差及温度因素的影响进行深入分析,构建了一种适用于低成本导航微惯性组...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 微流控芯片在分析化学和生物检测方面有着广阔的应用前景.对集成电极的PDMS -玻璃微流控芯片的制备工艺进行了研究与分析.最终使用SU -8快速制备阳模,使用PDMS转移图形得到具有微流控通道...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 开展了应用于微机电系统(MEMS)封装的硅通孔(TSV)工艺研究,分析了典型TSV的工艺,使用Bosch工艺干法刻蚀形成通孔,气体SF6和气体C4F8的流量分别为450和190 cm3/mi...
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13. 纳电子学的发展(续)刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要：
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 研究了不同基区设计对多发射极指结构功率InGaP/GaAs异质结双极型晶体管热稳定性的影响.以发生电流增益崩塌的临界功率密度为热稳定性判定标准,推导了热电反馈系数φ、集电极电流理想因子η和热...
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15. 纳米ZnO光学性质研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 介绍了纳米ZnO常见发光谱的发光机制.在室温光致发光谱(PL)中,一般在380 nm处出现紫外发光,也有报道在357和377 nm处的紫外发光,列举了几种不同的发光解释.对于深能级发光,一般...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 采用激光分子束外延法先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,在不同的氧气体积流量和生长温度下,用热蒸发法在镀有Zn薄膜的Si(111)衬底上制备了不同形貌的ZnO纳米晶须.分别用X射线衍射(X...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 灵敏度和线性度是压力传感器最重要的两个性能指标.为了制作出能够满足实际应用需求的压力传感器,必需探索出一种压力传感器灵敏度和线性度的有效仿真方法.提供了一种基于对压阻式压力传感器薄膜表面应力...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 针对传统多位分布式MEMS传输线(DMTL)移相器需要多个偏置电压控制的问题,提出了一种单电压控制多位DMTL移相器的设计方案.这种移相器的每一位具有不同的弹性系数,因此它们的下拉电压各不相...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： MEMS加速度传感器大幅提高了新型地震检波器的各项性能指标.利用有限元软件AN-SYS建立了悬臂硅梁的力学模型,并通过其力学性能仿真,得出优化的设计结构尺寸,即梁长L=150μm,梁宽b=4...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因.此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助.首先,建立了直接栅MOSFET静电场传...
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21. 基于LIGA技术制作金属微针阵列刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： MEMS微针在生物领域中的应用日益广泛,为了方便微针刺入皮肤且减少疼痛,要求微针具有足够的强度和锐利的尖端.传统LIGA工艺只能制造出具有高深宽比的垂直侧壁结构.对传统LIGA工艺进行调整,...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 研究了用于声表面波滤波器的微米尺度的叉指换能器的制作工艺.利用剥离工艺,分别采用铝和铬金两种金属制作了叉指换能器的电极,分析了剥离工艺制作叉指电极时的工艺特性.对加工样品的测量分析结果表明,...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 以氧化铟锡(ITO)玻璃作为基底,采用UV-LIGA技术制作了双层微齿轮型腔模具的镶块.首先,采用正胶(RZJ-304)进行光刻,在ITO玻璃表面电镀镍掩模,通过镍掩模对第一层SU-8光刻胶...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要： 为了提高低浓度下四甲基氢氧化铵(TMAH)体硅刻蚀的质量,通过对质量分数为5％的TMAH进行研究,发现合适的过硫酸铵(AP)添加方式和添加量能够在不降低刻蚀速率的条件下提高体硅刻蚀质量.通过...
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25. 信息动态刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年2期页码:摘要：
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26. 量子点外延生长新模型刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 目前在原子尺度上人们对量子点分子束外延生长过程了解很少,所有关于量子点外延生长的理论模型和计算机模拟都是建立在传统的外延生长理论框架内.在传统理论框架内,量子点的生长过程被理解为发生在生长表...
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27. QCA电路的缺陷研究刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 针对量子元胞自动机电路中出现的元胞移位等元胞缺陷,介绍了基于QCADesigner的元胞缺陷分析,得出了特定结构的容错范围.对于制造过程出现的单电子故障,分析了不同输入时单电子故障对传输线和...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似下,研究了(5,0)和(5,5)硅纳米管结构和电子性质.计算结果表明:(5,0)管硅原子相邻键长波动范围为0.068 nm,大于(5,5)管的...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 染料敏化太阳电池以其良好的电池性能、简单的制作工艺、廉价的制作成本等优点越来越受到人们的关注.尝试用水热合成法在透明导电玻璃FTO (SnO2∶F)衬底上一步制备出高度有序的TiO2单晶纳米...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2012年3期页码:摘要： 主要研究了无源压力传感器的无线信号传输性能.传感器结构由压力敏感电容空腔和电感天线组成,内部无需有源器件、电池等.通过压力敏感结构电感天线的金属层厚度、线宽等因素的改变来研究无线信号传输性能...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 文摘杂志(俄) |
| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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