IC芯片凸点的制作与可靠性考核

• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 芯片凸点 FCB C4技术 DCA
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 页码范围: 217-220
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 语种: 中文

摘要

用多种方法制作了AU 凸点、CU/AU 凸点、NI/AU 凸点、CU/PB － SN 凸点及C4 凸点等.其中制作的微型AU 凸点直径为10 μM ,间距30 μM ,高度5 ~8 μM ,芯片上微凸点近1 000 个.还对各种不同的制作方法进行了研究,并对芯片凸点的可靠性进行了一定的考核,效果良好.文中给出一组试验芯片的CU/PB － SN 凸点可靠性考核数据:经125 ℃,1 000 H 电老化,其接触电阻变化范围为0 .1 ％ ~0 .7 ％ ;经－ 55 ℃~+ 125 ℃,1 000 次高低温冲击,其接触电阻也在0 ~0 .7 ％ 内.而且,经高低温冲击后,仍具有相当高的剪切力:16 个直径200μM 的凸点剪切力最低为17 .5N,最高42 .5 N,平均值为27 .8 N.