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摘要:
报道了采用超声雾化喷涂工艺沉积优质掺杂二氧化锡透明导电半导体薄膜的实验成果,选用氟作为掺杂元素,通过改变掺杂量和工艺参数,可控制薄膜的方块电阻在10 Ω/□以上的范围内变化(400nm膜厚),掺氟离子二氧化锡为n型导电半导体,高浓度掺杂的二氧化锡薄膜光学透过率为87%~90%(采用550nm单色光源测透过率).用X射线衍射及扫描电子显微镜分析,可获得该薄膜材料的微结构、表面形貌以及薄膜组成、掺杂百分含量.该成果为大规模生产优质二氧化锡透明导电薄膜,提供了有效、简单的方法和装置.
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文献信息
篇名 超声雾化喷涂工艺及优质二氧化锡透明导电薄膜的研究
来源期刊 固体电子学研究与进展 学科 工学
关键词 超声雾化喷涂工艺 氟离子掺杂 二氧化锡透明导电薄膜
年,卷(期) 2000,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 229-232
页数 5页 分类号 TN304.055
字数 2310字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-3819.2000.02.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 崔容强 上海交通大学物理系太阳能研究所 38 544 14.0 22.0
2 周之斌 上海交通大学物理系太阳能研究所 11 83 5.0 9.0
3 陈东 上海交通大学物理系太阳能研究所 45 356 10.0 17.0
4 孙铁囤 上海交通大学物理系太阳能研究所 11 95 5.0 9.0
5 黄燕 上海交通大学物理系太阳能研究所 50 388 11.0 18.0
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研究主题发展历程
节点文献
超声雾化喷涂工艺
氟离子掺杂
二氧化锡透明导电薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
固体电子学研究与进展
双月刊
1000-3819
32-1110/TN
大16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
1981
chi
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851
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