雪崩热电子注入研究富氮SiOxNy纳米级薄膜的陷阱特性

• 作者: 冯文修 张昊 曾绍鸿 章晓文 陈蒲生
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 陷阱特性 雪崩 薄膜 等离子体增强化学气相淀积 热电子注入
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 216-222
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 5111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2000.02.014

摘要

采用雪崩热电子注入技术研究了富氮SiOxNy纳米级薄膜的陷阱特性.观察到该薄膜存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长、界面上产生的这种陷阱将起主导作用,其密度大过施主型界面电子陷阱.揭示出界面陷阱密度在禁带中分布,其密度随雪崩注入剂量增加而增大,禁带上半部增大得尤其显著.指出雪崩注入过程中在Si/PECVD SiOxNy界面上产生两种性质不同的电子陷阱,并给出它们在禁带中的位置及密度大小关系.支持了界面陷阱来源于悬挂键的物理模型,由于本实验的重要结果可用该理论模型圆满地解析.给出PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件,该条件成膜的界面特性良好、耐压范围高、抗雪崩注入能力及其他电子特性也较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈蒲生	华南理工大学应用物理系	15	21	2.0	3.0
2	冯文修	华南理工大学应用物理系	10	10	2.0	2.0
3	张昊	华南理工大学应用物理系	4	3	1.0	1.0
4	章晓文	华南理工大学应用物理系	2	2	1.0	1.0
5	曾绍鸿	华南理工大学应用物理系	6	8	2.0	2.0