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摘要:
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基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管
GaAsSb
InP
MOCVD
双异质结晶体三极管
晶体三极管功耗的研究
三极管
功耗
比较
实验
物理法造型在NPN晶体三极管模型建立的应用
物理法造型
三极管模型
直流伴随模型
晶体三极管功耗的研究
三极管
功耗
比较
实验
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 GaAsSb/InP异质结晶体三极管
来源期刊 固体电子学研究与进展 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 117
页数 1页 分类号 TN3
字数 893字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.021
五维指标
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
固体电子学研究与进展
双月刊
1000-3819
32-1110/TN
大16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
1981
chi
出版文献量(篇)
2483
总下载数(次)
5
总被引数(次)
9851
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导