φ100 mm掺硫InP单晶生长研究

• 作者: 刘二海 周晓龙 孙同年 孙聂枫 徐永强 李贤臣 杨光耀 谢德良
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 单晶 位错密度
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 专题报道(半导体材料与设备)
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055|TN305.3
• 字数: 3079字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.03.010

摘要

InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用.掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域.为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行了直径100mm掺硫InP单晶生长和性质研究.首先解决了大容量直接合成技术,其次解决了大直径单晶生长的关键技术,保证了一定的成晶率.采用降低温度梯度等措施,降低位错密度,提高晶体完整性.制备出100mm掺硫InP整锭〈100〉InP单晶和单晶片.经过测试其平均EPD小于5×104cm-2,载流子浓度大于3×1018cm-3.本文还对影响材料成晶的放肩角进行了研究,一般生长大直径单晶采用大于70.或平放肩技术都可以有效地避免孪晶的产生.