MOSFET的大信号动态集总模型及射频电路模拟

• 作者: Omar Wing 任俊彦 来金梅 许俊 陈宰曼
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 偏微分方程模型 射频电路模拟 表面势 大信号动态集总模型
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 射频与微波
• 页码范围: 44-49
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 4005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2004.01.009

摘要

针对RF电路模拟的需要,在文中提出了一个基于表面势的MOSFET大信号动态集总模型.这个模型是由MOSFET的PDE模型简化推导而来.它不仅比传统的模型能更精确地描述晶体管在高频大信号情况下的伏-安特性.而且比PDE模型易于求解,从而大大提高了电路模拟的速度.通过模拟几个具体的RF电路,将这个模型与PDE模型作了比较,结果表明两者吻合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	来金梅	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	68	322	9.0	13.0
2	任俊彦	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	116	450	11.0	14.0
3	Omar Wing	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	7	10	2.0	3.0
4	许俊	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	26	168	9.0	11.0
5	陈宰曼	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	3	1.0	1.0