n-GaN表面Ti/Al/Ti/Au电极的电学特性

• 作者: 何乐年 王光峰 陈忠景
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 欧姆接触 退火
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 62-64,19
• 页数: 4页
• 分类号: TB33|TN304
• 字数: 2174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.08.017

摘要

实验研究了淀积在GaN上的Ti/Al/Ti/Au电极的电学和热学特性,绘制了不同退火温度下的I-V曲线,得到了最低的欧姆接触电阻率(ρs=1.2×10-4 Ω·cm2),并通过X射线衍射谱分析了GaN与Ti/Al/Ti/Au电极接触表面在退火过程中的固相反应.实验结果表明,在Ti/Al表面增加Ti/Au保护层能够保证Al层在高温时不发生球化和氧化,电极更稳定可靠能够进一步提高欧姆接触特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何乐年	浙江大学信息与电子工程学系	88	869	16.0	26.0
2	陈忠景	浙江大学信息与电子工程学系	4	8	1.0	2.0
3	王光峰	浙江大学信息与电子工程学系	1	1	1.0	1.0