热氧化法制备ZnO薄膜及其特性研究

• 作者: 梁秀萍 王兆阳 王志俊 胡礼中 赵宇 赵杰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 ZnO薄膜 热氧化 X射线衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 3045字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.03.013

摘要

用热氧化金属Zn膜的方法在Si(111)衬底上制备ZnO薄膜.X射线衍射结果表明,500℃氧化的样品的结晶性能最好.随氧化温度的升高,薄膜内的应力方向在450～500℃之间发生转变,从沿c轴的张应力变为压应力.500℃氧化的样品的室温光致发光(PL)谱中,紫外峰的半高宽为94.8 meV,其强度与深能级发射强度之比高达162.氧化温度超过700℃后,样品的PL谱以深能级发射为主,对此现象产生的原因进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰	大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室	171	1184	17.0	27.0
2	王兆阳	大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室	7	56	4.0	7.0
3	胡礼中	大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室	28	160	8.0	11.0
4	王志俊	大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室	7	34	4.0	5.0
5	梁秀萍	大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室	20	75	5.0	7.0
6	赵宇	大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室	34	82	5.0	7.0