高度(100)取向的BST薄膜及其高介电调谐率

• 作者: 唐新桂 蒋力立 陈王丽华 黄开胜
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 钛酸锶钡薄膜 脉冲激光沉积 柱状晶粒 介电调谐特性 探测优值
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 29-31,34
• 页数: 4页
• 分类号: TB304
• 字数: 2757字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.12.010

摘要

用脉冲激光沉积法制备(Ba1-xSrx)TiO3 (x = 0.35,0.50简称BST35和BST50)介电薄膜.在650℃原位退火10 min,获得高度(100)取向柱状生长的晶粒.BST35薄膜的平均晶粒尺寸为50 nm,BST50薄膜的晶粒尺寸为150～200 nm.在室温和1 MHz条件下,BST35的最大εr和调谐率分别达到810 和76%,其介电调谐率高于国内外同类文献报道的数据;BST50的εr和调谐率最大分别达到875和63%.薄膜为(100)取向生长,因为薄膜沿平面c轴极化而产生应力,在电场作用下,而获得高介电调谐率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐新桂	广东工业大学物理与光电工程学院	26	71	5.0	6.0
2	黄开胜	广东工业大学自动化学院	93	725	12.0	23.0
3	蒋力立	广东工业大学自动化学院	29	192	8.0	12.0