毫米波PHEMT功率单片集成电路研究

• 作者: 刘晨晖 张穆义 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 毫米波 膺配高电子迁移率晶体管 功率 单片集成电路
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 制造技术
• 页码范围: 194-198
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 2899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.03.010

摘要

介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解决研制过程中各关键工艺技术,使8mm功率PHEMT单片集成电路的投片一次成功,并给出了测得的功率单片集成电路性能为33～34GHz,P.＞100mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
2	刘晨晖	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	3	1.0	1.0
3	张穆义	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	3	1.0	1.0