一种低成本的硅垂直互连技术

• 作者: 封国强 王水弟 蔡坚 贾松良
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅垂直互连 阻挡层 化学镀
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 封装测试技术
• 页码范围: 766-769,781
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 2969字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.10.013

摘要

采用KOH刻蚀工艺制作硅垂直互连用通孔,淀积SiO2作为硅垂直互连的电绝缘层,溅射Ti和Cu分别作为Cu互连线的黏附层/扩散阻挡层和电镀种子层.电镀10μm厚的Cu作为硅垂直互连的导电层.为实现金属布线的图形化,在已有垂直互连的硅片上试验了干膜光刻工艺.采用化学镀工艺,在Cu互连线上沉积150～200 nm厚的NiMoP薄膜作为防止Cu腐蚀和Cu向其上层介质扩散的覆盖层.高温退火验证了Ti阻挡层和NiMoP覆盖层的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡坚	清华大学微电子学研究所	23	198	7.0	14.0
2	王水弟	清华大学微电子学研究所	16	202	7.0	14.0
3	贾松良	清华大学微电子学研究所	28	448	13.0	20.0
4	封国强	清华大学微电子学研究所	3	34	3.0	3.0