RF溅射ZnO薄膜工艺与结构研究

• 作者: 张树人 杨成韬 王升 董加和 陈富贵 陈祝
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 地球科学
• 关键词: 无机非金属材料 ZnO薄膜 RF磁控溅射 氧分压 择优取向
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 35-38
• 页数: 4页
• 分类号: N304.2|O484.1|TB43
• 字数: 2600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.07.013

摘要

通过RF磁控溅射在Si(100)基片上制备了ZnO薄膜,并研究了磁控溅射中各生长参数,如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对ZnO薄膜微结构、表面形貌与结晶取向的影响.结果表明:溅射温度和氧分压对薄膜的微结构与择优取向有很大的影响,并对不同的溅射工艺进行了分析比较,从而确定了最佳溅射及后处理条件:RF溅射温度小于300℃,功率为50 W,ψ(Ar:O2)为20:5,退火温度550～600℃,并获得了c轴择优取向的ZnO薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张树人	电子科技大学微电子与固体电子学院	187	1176	16.0	24.0
2	杨成韬	电子科技大学微电子与固体电子学院	67	255	8.0	12.0
3	陈祝	成都信息工程学院通信工程系	20	67	5.0	7.0
4	王升	电子科技大学微电子与固体电子学院	13	89	6.0	9.0
5	陈富贵	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	15	3.0	3.0
6	董加和	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	21	3.0	4.0