吸收因子对GaAs光导开关输出电压幅值的影响

• 作者: 谢玲玲 黄阳 龚仁喜
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓光导开关 吸收因子 输出电压幅值
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 596-599
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 字数: 2223字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.07.012

摘要

研究了吸收因子与GaAs光导开关输出电压幅值的关系.考虑了开关电场对吸收系数的影响,导出了输出电压与吸收因子之间的函数关系式.在不同波长、间隙宽度、触发光脉冲能量条件下进行理论仿真,并与没有考虑吸收因子的情况相比,研究结果表明吸收因子对光导开关的输出电压幅值有重要影响,吸收因子减小了光导开关的输出电压幅值,延长了输出电压达到饱和状态的时间,增大了开关饱和触发光脉冲能量.在实际应用中应该对光导开关的吸收特性加以考虑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚仁喜	广西大学电气工程学院	89	835	17.0	25.0
2	黄阳	广西大学电气工程学院	11	55	4.0	7.0
3	谢玲玲	广西大学电气工程学院	18	162	6.0	12.0