真空退火温度对GZO/Ag/GZO三层膜性能的影响

• 作者: 姜丽莉 宋淑梅 李延辉 杨田林 辛艳青
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 透明导电膜 射频磁控溅射 三层膜 GZO/Ag/GZO 真空退火
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.11.010

摘要

室温下在玻璃衬底上,采用射频磁控溅射GZO(Ga掺杂ZnO)膜和离子束溅射Ag膜的方法,制备了GZO/Ag/GZO三层膜,分析了真空退火温度对样品结构、光学、电学性能的影响.结果显示:随着退火温度的升高,Ag层的结构得到明显改善,但GZO层结晶度受到了Ag扩散的影响.经过350 ℃退火后,样品在可见光区平均透射率达92.63%,电阻率由8.0×10~(-5) Ω·cm降至4.0×10~(-5) Ω·cm.