中频磁控反应溅射AlN薄膜及微观结构研究

• 作者: 杨雄 段丽 翁卫祥 袁军林 郭太良 陈勇
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 中频磁控反应溅射 氮化铝薄膜 沉积速率 晶体结构 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 分类号: TB43|O484
• 字数: 3666字
• 语种: 中文

摘要

采用中频磁控反应溅射工艺进行了氮化铝薄膜的制备,对沉积速率、晶体结构和表面形貌与氮气流量和溅射功率之间的变化关系进行了研究.结果表明,通过调节N2流量和溅射功率选择性地获得非晶态和沿着c轴方向择优生长的晶态AlN薄膜.在化合物沉积模式下,增加溅射功率和增加反应气体流量均有利于获得非晶态AlN薄膜,并且减小薄膜表面粗糙度,获得光滑的AlN薄膜,并采用薄膜生长原理对这种现象进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭太良	福州大学物理与信息工程学院	302	1102	15.0	21.0
2	陈勇	福州大学物理与信息工程学院	15	53	4.0	7.0
3	翁卫祥	福州大学物理与信息工程学院	11	17	3.0	4.0
4	袁军林	福州大学物理与信息工程学院	6	15	3.0	3.0
5	杨雄	福州大学物理与信息工程学院	23	40	4.0	5.0
6	段丽	福州大学物理与信息工程学院	3	11	2.0	3.0