坩埚在线圈中位置对大直径SiC单晶温度场影响

• 作者: 侯晓蕊 徐伟 毛开礼 王英民
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC单晶 温度场 数值模拟
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 新工艺 新技术
• 页码范围: 360-363
• 分类号: O771|O782
• 字数: 2484字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3474.2011.06.013

摘要

利用Virtual Reactor模拟软件研究了大直径SiC晶体生长中坩埚在感应线圈内不同位置对坩埚内整体温度场、生长腔以及料源内温度场的影响。分析比较了生长腔内径向温度梯度以及轴向温度梯度的变化规律以及坩埚内部整体温度场的分布规律。以此为依据,优化了坩埚设计,获得了理想的适合大直径SiC单晶生长的温场,并成功生长出高质量的7.62cm SiC单晶。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王英民		4	6	1.0	2.0
2	毛开礼		3	5	1.0	2.0
3	侯晓蕊		2	5	1.0	2.0
4	徐伟		1	4	1.0	1.0