硅通孔互连技术的可靠性研究

• 作者: 侯珏 肖斐 陈栋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔(TSV) 温度循环试验(TCT) 跌落试验 湿度敏感性测试 失效分析
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 制造工艺技术
• 页码范围: 684-688
• 分类号: TN406
• 字数: 3646字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.09.008

摘要

随着电子封装持续向小型化、高性能的方向发展,基于硅通孔的三维互连技术已经开始应用到闪存、图像传感器的制造中,硅通孔互连技术的可靠性问题越来越受到人们的关注.将硅通孔互连器件组装到PCB基板上,参照JEDEC电子封装可靠性试验的相关标准,通过温度循环试验、跌落试验和三个不同等级的湿度敏感性测试研究了硅通孔互连器件的可靠性.互连器件在温度循环试验和二、三级湿度敏感试验中表现出很好的可靠性,但部分样品在跌落试验和一级湿度敏感性测试中出现了失效.通过切片试验和扫描电子显微镜分析了器件失效机理并讨论了底部填充料对硅通孔互连器件可靠性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖斐	复旦大学材料科学系	27	220	9.0	14.0
2	侯珏	复旦大学材料科学系	2	10	1.0	2.0