Ku波段单片功率放大器设计与制作

• 作者: 付兴昌 倪涛 刘如青 吴洪江 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ku波段 功率放大器 脉冲 芯片 砷化镓
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与应用
• 页码范围: 470-473
• 分类号: TN304.23|TN722.75
• 字数: 1302字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.06.014

摘要

介绍了一种Ku波段GaAs功率放大器芯片的研制过程.芯片采用电抗匹配电路结构,三级级联放大,末级采用多胞器件进行功率合成,实现了电路的高增益和所要求的功率输出;另外,还对元器件模型技术、GaAs MMIC测试技术等进行了相应描述.在芯片的研制过程中,利用ADS软件进行仿真及优化,利用电磁场仿真进行版图设计.在4英寸(100mm)0.25μmGaAs PHEMT工艺线上完成芯片制作,在12.5～15.0 GHz的频率范围内,脉冲饱和输出功率P.大于34.7 dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益Gp大于19.7 dB,功率附加效率PAE大于30%,功率增益平坦度小于±0.4dB.该芯片可以应用到许多微波系统中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	付兴昌	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	68	5.0	7.0
3	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
4	倪涛	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	18	2.0	4.0
5	刘如青	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	28	2.0	5.0