Si基薄膜体声波谐振器(FBAR)技术研究

• 作者: 冯彬 王胜福 胡顺欣 许悦 邓建国 韩东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜体声波谐振器 氮化铝薄膜 空气腔 牺牲层技术 谐振器
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 456-459,469
• 分类号: TN75
• 字数: 2018字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.06.010

摘要

介绍了目前国际上主流的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术,分析了FBAR谐振器的结构设计和压电薄膜选取方案.依托Si基半导体工艺平台,采用牺牲层技术完成了空气腔的制作,利用磁控反应溅射技术制备的高质量(002) AIN薄膜作为压电材料,基于FBAR多层立体结构,实现了空气腔型FBAR谐振器的制作工艺,实际制作了FBAR谐振器样品.实测FBAR谐振器样品典型指标:Q值≥300,谐振频率为1.46 GHz,谐振频率覆盖L波段.测试结果验证了设计方案及工艺路径的正确性与可行性,为后续产品的研发提供了技术基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡顺欣	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	21	3.0	4.0
2	邓建国	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	45	4.0	5.0
3	韩东	中国电子科技集团公司第十三研究所	17	65	5.0	7.0
4	许悦	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	32	3.0	5.0
5	冯彬	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	45	4.0	5.0
6	王胜福	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	38	4.0	6.0