应用于LOCOS隔离工艺的平坦化技术研究

• 作者: 刘英坤 梁东升 董军平 邓建国 高渊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 局部氧化隔离 化学机械抛光 反刻 抛光速率 选择比
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体先进制造技术
• 页码范围: 460-463
• 分类号: TN405
• 字数: 2465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.06.011

摘要

介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面.研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP压力、转速、流量等工艺参数,控制了抛光速率和精度,提高平坦化的均匀性,在工艺条件为压力1 psi(1 psi=6.89×103 Pa),转速25 r/min,流量120 mL/min时,获得了良好的平坦化形貌.通过实验对比发现,CMP平坦化效果优于反刻平坦化,适合于实际生产应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓建国	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	45	4.0	5.0
2	刘英坤	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	183	8.0	12.0
3	高渊	河北工业大学信息工程学院	5	5	2.0	2.0
5	梁东升	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	4	2.0	2.0
8	董军平	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	2	1.0	1.0