射频功率对微晶硅薄膜微结构和光电性能的影响

• 作者: 林璇英 陈城钊
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 微晶硅薄膜 射频功率 拉曼光谱 暗电导率
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 83-86
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2012.04.022

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术,在玻璃和硅衬底上沉积微晶硅(μc-Si:H)薄膜.利用拉曼光谱、AFM和电导率测试对不同射频功率下沉积的薄膜的结构特性及光电性能进行分析.研究表明:随着射频功率的增加,薄膜的晶化率和沉积速率也随之增加,而当射频功率增加到一定的程度,晶化率和沉积速率反而减小.薄膜的暗电导率与晶化率的变化情况相对应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林璇英	汕头大学物理系	40	400	10.0	18.0
2	陈城钊	韩山师范学院物理与电子工程系	23	86	5.0	8.0