具有正斜率增益的GaAs MMIC宽带放大器芯片设计

• 作者: 刘文杰 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 均衡器 放大器
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 118-121
• 分类号: TN722.5
• 字数: 1959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2012.02.006

摘要

介绍了一种宽带放大器芯片,该放大器的工作频率覆盖了2～12 GHz,采用砷化镓( GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片电路工艺实现.在一个宽带负反馈放大器的前面集成了一个幅度均衡器,使放大器的增益在整个带内具有7 dB的正斜率,频率低端(2 GHz)增益为3 dB,高端(12 GHz)为10 dB,输入输出电压驻波比为1.6∶1,饱和输出功率为20 dBm,芯片尺寸为2.0 mm×1.5 mm×0.1 mm.详细描述了电路的设计流程,并对最终的测试结果进行了分析.该芯片具有频带宽、体积小、使用方便的特点,可作为增益块补偿微波系统中随着频率升高而产生的增益损失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
2	刘文杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	33	4.0	5.0