高深宽比硅通孔的SAPS兆声波清洗技术

• 作者: 于大全 张明川 张晓燕 王晖 薛恺 陈福平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔(TSV) SAPS兆声波清洗 3D IC 盲孔清洗 清洗技术
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 377-382
• 分类号: TN305.97
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.05.012

摘要

硅通孔(TSV)是三维系统集成的关键技术和发展趋势,目前已经可以实现深宽比为10∶1的TSV结构,且向着更高深宽比方向发展.在TSV制造工艺中,硅通孔刻蚀后的清洗是目前的关键技术难点之一.针对TSV刻蚀的工艺特点和TSV结构的特点,基于气体交替技术的硅刻蚀反应副产物种类以及清洗过程清洗液在TSV孔内的流体特性进行分析,探讨了一种基于现有清洗液,利用空间交变相位移(SAPS)兆声波技术进行TSV刻蚀后的清洗方法,并阐述了该清洗工艺的特点及前后工艺间的相互影响.研究结果表明,SAPS兆声波清洗能高效去除深孔内刻蚀残余产物,在TSV工艺集成中有较好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于大全		8	60	4.0	7.0
3	薛恺		2	7	2.0	2.0
6	陈福平		1	3	1.0	1.0
7	张晓燕		1	3	1.0	1.0
8	张明川		1	3	1.0	1.0
9	王晖		2	3	1.0	1.0