CuxSiyO阻变存储器单粒子和总剂量辐照效应

• 作者: 周晓羽 杨建国 林殷茵 薛晓勇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变存储器(RRAM) 抗辐照 总剂量效应(TID) 单粒子效应(SEE) 地面辐照实验
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 464-467
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.012

摘要

对CuxSiyO结构的阻变存储器(RRAM)进行了总剂量(TID)以及单粒子辐照(SEE)实验.总剂量实验中,1T1R样品分别接受总剂量为1,2和3 kGy (SiO2)的60Co γ射线辐射.样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象.单粒子辐照实验中,16 kbit RRAM阵列样品分别接受线性能量转移(LET)值最高达75 MeV的4种离子束的辐射.样品中没有出现低阻在辐照后翻转的现象.除一组无翻转外,存储单元的高阻到低阻的翻转率皆在0.06％左右.实验结果证实了RRAM中已经形成的导电通道不会受辐照影响,因此不存在低阻翻转为高阻的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林殷茵	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	40	129	7.0	10.0
2	薛晓勇	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	6	3	1.0	1.0
3	周晓羽	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	杨建国	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	2	3	1.0	1.0