快速热退火对Au/AuBe/Au与GaP结构的影响

• 作者: 张双翔 王宇 肖和平 郭冠军 马祥柱
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热退火处理 AES纵深分析 元素扩散 物相结构 接触电极
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 293-299
• 页数: 7页
• 分类号: TN305
• 字数: 4023字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.04.009

摘要

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备了GaAs基A1GaInP发光二极管(LED),其中在p-GaP上制作Au/AuBe/Au接触电极,经不同温度快速热退火后,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)和俄歇电子能谱仪(AES)对样品的欧姆接触的界面特性进行了分析和表征.使用光电测试仪对样品的电性能进行了测试.结果表明,随着退火温度的升高,各元素的扩散深度和强度增加,Au表面出现灰色片状聚合物,其主要成分为AuGa和BeO;在490～550℃时,金属层与GaP界面表层Au中含有Ga和Be元素,GaP中含有Au和Be元素;Ga元素扩散至Au层中,Au3Be相分解并形成β-AuGa,金属层物相结构转变成Au与3-AuGa两相的混合.在490～550℃时LED的正向电压保持不变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖和平		11	11	3.0	3.0
2	马祥柱		5	8	2.0	2.0
3	王宇		3	8	2.0	2.0
4	郭冠军		3	8	2.0	2.0
5	张双翔		3	5	1.0	2.0