5～10 GHz MMIC低噪声放大器

• 作者: 孙昕 李斌 陈丽 陈莹
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 宽带
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 569-573,597
• 页数: 6页
• 分类号: TN43|TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.08.002

摘要

采用稳懋公司150 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款5 ～ 10 GHz单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).该LNA采用三级级联结构,且每一级采用相同的偏压条件,电路的低频工作端依靠电容反馈,高频工作端依靠电阻反馈调节阻抗匹配,从而实现宽带匹配,芯片面积为2.5 mm×1 mm.测试结果表明,工作频率为5～10 GHz,漏极电压为2.3V,工作电流为70 mA时,LNA的功率增益达到35 dB,平均噪声温度为82 K,在90％工作频段内输入输出回波损耗优于-15 dB,1 dB压缩点输出功率为10.3 dBm,仿真结果与实验结果具有很好的一致性.