a-IGZO/IZO厚度比对TFT特性的影响研究

• 作者: 向超 李勇男 殷波 汤猛 潘东 钟传杰
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: a-IGZO a-IZO 双有源层 异质结 态密度
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 533-536,547
• 页数: 5页
• 分类号: TN321+.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170437

摘要

利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块,对底栅结构的双有源层a-IGZO/IZO薄膜晶体管(TFT)进行了仿真与模拟,研究了双有源层厚度比对TFT特性的影响.结果表明,该TFT的特性与有源层的厚度比密切相关.在给定参数条件下,当有源层的厚度比为20:20时,该TFT的电学性能最优.阈值电压、亚阈值摆幅分别为-2.05 V、91 mV/decade,最大开关电流比为4.12×1014.双有源层a-IGZO/IZO TFT的场效应迁移率可达20.2 cm2/V·s,优于单有源层a-IGZO TFT.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟传杰	江南大学物联网工程学院	53	90	5.0	7.0
2	汤猛	江南大学物联网工程学院	5	3	1.0	1.0
3	殷波	江南大学物联网工程学院	8	30	3.0	5.0
4	李勇男	江南大学物联网工程学院	6	8	2.0	2.0
5	向超		9	0	0.0	0.0
6	潘东	江南大学物联网工程学院	4	0	0.0	0.0