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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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年度刊次
目录
  • 61. Si1-xGex/SOI材料的基本性质与应用前景
    作者： 吕幼华 张海鹏 章红芳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  35-40
    摘要： 主要讨论了Si1-xGex/SOI材料的Si1-xGex应变层临界厚度、折射率增量、载流子迁移率、超晶格的线性电光效应、等离子色散效应等基本性质,比较了SOI、Si1-xGex/SOI光波导...
  • 62. 银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究
    作者： 戎瑞芬 汪荣昌 顾志光
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  41-43,75
    摘要： 从低温共烧的工艺角度来研究氮化铝坯片和银浆的排胶,从而确立排胶的温度及烧结气氛的控制.结果表明,二次排胶法与在氮气气氛中加入微量氧进行烧结,获得了综合性能优良的银布线多层陶瓷基板.
  • 63. 离子注入高分子材料的研究动态及应用
    作者： 岳喜成
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  44-48
    摘要： 离子注入聚合物(在一定的能量和一定的剂量),可引起聚合物电导率增加几个到十几个数量级.利用这个特性,可制作导电图样,制作连线,制作p型半导体材料和n型半导体材料,制作pn结,制作二维和三维集...
  • 64. Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜的化学溶液淀积方法制备及表征
    作者： 林殷茵 汤庭鳌 王晓光
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  49-53
    摘要： 采用新颖的化学溶液淀积方法,配制出可长时间稳定的先体溶液,采用红外分析和热分析等手段,对成膜过程中发生的反应变化进行了分析,结果表明采用新的方法可以增加先体的稳定性,并且确定了薄膜的析晶温度...
  • 65. 2002～2003年集成电路与专用设备发展状况
    作者： 关白玉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  54-57
    摘要：
  • 66. SPC在半导体晶圆制造厂的应用(上)
    作者： 梁德丰 梁静 钱省三
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  58-60,70
    摘要： 由于半导体制造工艺过程的复杂性,一般很难建立其制造模型,不能对工艺过程状态有效地监控,所以迫切需要先进的半导体过程控制技术来严格监控工艺过程状态,而SPC就是其中最重要的一种技术.本文针对S...
  • 67. 边界扫描SRAM簇板级互连测试研究
    作者： 刘明云 李桂祥 杨江平 项建涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  61-66
    摘要： 由于边界扫描结构的复杂与费用的关系,在现代电子电路中广泛使用的静态随机存取存储器还很少包含边界扫描结构.本文提出了一种能完全实现SRAM簇互连测试的方法,该方法能检测SRAM簇控制线、数据线...
  • 68. 非接触式喷射点胶--未来的点胶技术
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  67-70
    摘要：
  • 69. 频率计算器工具简化混合信号测试设置
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  71,79
    摘要：
  • 70. 高性能数字信号处理器TMS320LF2407A及其应用
    作者： 吴开源 李阳 陆沛涛 黄石生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  72-75
    摘要： 介绍了高性能数字信号处理器TMS320LF2407A的体系结构、功能特性、开发及典型应用,并介绍了对交流电机的实际控制.
  • 71. 一种基于层次模型的USB2.0接口芯片IP核固件的设计与实现
    作者： 李广军 田茂 闫波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  76-79
    摘要： 在对USB2.0设备端接口芯片IP核进行分析的基础上,提出了一种基于层次模型的IP核固件的设计实现方案,并给出了一个大容量存储设备USB接口IP核固件的设计实例,实验结果验证了本设计的先进性...
  • 72. 《半导体技术》新闻点评
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年3期
    页码:  80-90
    摘要：
  • 73. DRAM芯片的最新研制进展与发展趋势
    作者： 成立 王振宇 高平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  1-5,14
    摘要： 介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1 μ m特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取存储器(NVRAM),如FRAM、相变RAM、MRAM...
  • 74. 射频识别技术的现状和发展研究
    作者： 俞军 张纲 沈磊 马庆容
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  6-9
    摘要：
  • 75. 化学机械抛光中的硅片夹持技术
    作者： 孙禹辉 康仁科 苏建修 郭东明 金洙吉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  10-14
    摘要： 目前半导体制造技术已经进入0.1 3μm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术.本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了目前工...
  • 76. 离子注入中硼在Rp缺陷的析出模型
    作者： 夏建新 安娜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  15-18,26
    摘要： 建立了一种析出模型用来模拟硼在硅中的扩散现象,描述了硼原子与离子注入引起的R.缺陷之间的相互作用,解释了非活性硼峰形成的原因,与实验结果能够较好的吻合,为研究硼的扩散机理提供了很好的依据,为...
  • 77. 溅射工艺对晶片碎片的影响
    作者： 邹建和
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  19-20
    摘要： 介绍了半导体晶片制造设备溅射机和溅射工艺对晶片碎片的影响,给出了如何减少晶片应力以达到少碎片的目的.
  • 78. 新一代DRSEM系统SEMVisionG2 FIB简介
    作者： 利定东 李文胜 江洪波 金成洛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  21-24
    摘要： 简要介绍了当前半导体生产中对电子显微镜缺陷再检测(Defect Review SEM,DRSEM)系统的要求,以及应用材料公司针对这些要求推出的新一代DRSEM系统--SEMVisionG2...
  • 79. Used Equipment--Recognizing the "total cost"
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  25-26
    摘要：
  • 80. 用于圆片级封装的金凸点研制
    作者： 王水弟 胡涛 蔡坚 谭智敏 贾松良 郭江华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  27-30
    摘要： 介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究.凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀...
  • 81. I2C总线应用下的EEPROM测试
    作者： 盛帅能
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  31-34
    摘要： I2C总线是最早由PHILIPS公司推出的新一代串行扩展总线,广泛应用于IC器件之间的连接.本文在分析了I2C总线的工作原理及其特点后,通过对台湾CERAMATE公司生产的2Kbits的串行...
  • 82. 倒装芯片封装技术的凸点、压焊及下填充
    作者： 杨建生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  35-37
    摘要： 简要叙述了IBM公司的倒装片技术,包括凸点形成技术、压焊技术和下填充技术,并展望了倒装片技术的发展前景.
  • 83. PCI高速总线测试挑战
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  38-39
    摘要：
  • 84. IC卡中薄芯片碎裂失效机理的研究
    作者： 倪锦峰 王家楫
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  40-44
    摘要： 薄/超薄芯片的碎裂占据IC卡早期失效的一半以上,其失效模式、失效机理亟待深入研究.本文分析了芯片碎裂的失效模式和机理,并结合实际IC卡制造工艺以及IC卡失效分析实例,就硅片减薄、划片、顶针及...
  • 85. 基于ANSYS的半导体激光器热特性模拟
    作者： 崔碧峰 沈光地 邹德恕 郭伟玲 鲁鹏程
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  45-47,51
    摘要： 介绍了ANSYS有限元软件在半导体激光器热特性模拟中的应用,计算了一个单量子阱980nm半导体激光器在脉冲下的瞬态热分布图,结果表明使用AN'Y'软件进行热分析可以做到模型建立便捷,施加载荷...
  • 86. 化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷
    作者： 吕海涛 左燕 张维连 步云英
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  48-51
    摘要： 采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104～10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及...
  • 87. 高有效孔径比面阵石英微透镜阵列研究
    作者： 易新建 柯才军 赖建军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  52-55
    摘要： 为了提高可见光CCD图像传感器的填充因子从而提高CCD的信噪比,在石英基片上制作了516×516元的微透镜阵列.本文对石英微透镜阵列的制作工艺过程进行了详细讨论.最后的测量结果表明所制作的微...
  • 88. 一种智能仪表通用输入端的设计
    作者： 吴金勇 徐健健 虞致国
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  56-57,68
    摘要： 设计了一种适用于智能仪表的通用输入端,详细讨论了传感器的线性化和仪表校准的实现方法.该设计可广泛应用于智能仪表的模拟输入端的电路.
  • 89. 基于PROFIBUS现场总线的控制系统
    作者： 章绍东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  58-60
    摘要： 介绍了一种基于SIEMENS PROFIBUS-DP网络的控制系统的设计方法,详细分析了该网络的拓扑结构、硬件配置及主从通信方式的工作机理,说明了这是一种先进的控制技术.
  • 90. 低压CMOS带隙电压源
    作者： 李仲秋
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2004年4期
    页码:  61-64
    摘要： 介绍了CMOS带隙电压源的基本原理,并根据目前CMOS集成电路工艺发展对低电源电压的要求,详细地分析了几种能产生低输出电压且能兼容标准CMOS工艺的CMOS带隙电压源电路.这些电路所需的电源...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
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