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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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年度刊次
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  • 151. 视频阻抗测试仪的研制
    作者： 张晓 李苏萍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  28-29,38
    摘要： 根据国家测试标准(GB6570-86)的要求,考虑到视频阻抗(Rv)测试仪所需偏置电流较小和恒流源稳定度较高的特点,选取了LM334集成电路作为恒流源的核心,采用由感容并联谐振回路组成的选频...
  • 152. 光电控制高精度检测系统研究
    作者： 陈宇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  30-33
    摘要： 本系统基于红外传感技术设计,用于检测物体直径.通过选型调试,系统安装对射距离可实现5mm～30m.调节系统精度,检测体直径φ≥0.05mm均能实现自动检测.文章介绍了该系统工作流程及主要功能...
  • 153. 用于微器件加工的AZ4620厚胶光刻工艺研究
    作者： 刘世杰 唐雄贵 杜惊雷 杜春雷 罗铂靓 郭永康
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  34-38
    摘要： 对AE4620厚胶紫外光刻工艺进行了实验研究,探讨了其工艺特性及光刻胶层的刻蚀面形与各种工艺条件的关系,提出了刻蚀高深宽比、最佳浮雕面形所需的工艺条件.通过对光刻工艺过程的研究,可为较好地控...
  • 154. 光刻胶等效扩散长度对O.13μm 工艺窗口的影响
    作者： 伍强
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  39-42,59
    摘要： 介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估.展示了在0.13μm及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的研究结果.
  • 155. 环氧塑封料的性能和应用研究
    作者： 李立新
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  43-46
    摘要： 介绍了环氧塑封料的国内外发展概况,着重论述了其物理性能、机械性能、热性能、导热性能、电性能、化学性能、阻燃性能、贮存性能、封装性能,以及应用中封装工艺、缺陷的解决办法,并就发展前景发表了自己...
  • 156. 陶瓷封装电路内部水汽的稳定性控制
    作者： 王林
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  47-49
    摘要： 简述了集成电路陶瓷封装内部水汽含量的不稳定性,主要是由粘接材料导电胶在高温下分解释放出的水汽所造成的.不同的封装温度内部水汽含量不一样.说明导电胶应充分固化,尽可能在较低的温度下进行封盖.
  • 157. GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应
    作者： 张志国 李丽 李献杰 杨克武 杨瑞霞 王勇
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  50-55
    摘要： 从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法.列举了三种...
  • 158. 电子束蒸发沉积ZAO薄膜正交试验
    作者： 夏志林 朱选敏 葛春桥 薛亦渝 郭爱云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  56-59
    摘要： 采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜.用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素(沉积厚度、沉积速率、基片温度)对薄膜性能(透...
  • 159. 1OGb/s SiGe光接收机限幅放大器
    作者： 刘军 刘华珠 孙玲玲 徐跃 黄海云
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  60-62
    摘要： 给出了一个利用IBM 0.5μm SiGe BiCMOS工艺实现的10Gb/s限幅放大器.在标准的3.3V电源电压,功耗为133.77mW.在31dB的输入动态范围内,可以保持980mVpp...
  • 160. 1.5GHz CMOSECL输入接口的设计与测试
    作者： 任怀龙 吴洪江 廖斌 陈兴
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  63-65
    摘要： 对一种高速CMOS ECL输入接口进行了分析研究,该接口包含一种双镜补偿的CMOS差分放大电路,采用0.18 μm CMOS工艺研制,实现了PECL电平兼容.经测试,该接口最高工作频率达1....
  • 161. 一种宽带运放的设计及恒定跨导电路稳定性分析
    作者： 李肇基 魏汝新 魏福立
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  66-70
    摘要： 介绍了一种宽带CMOS运算放大器的设计,通过对其S域传输函数的分析,设计合理的补偿办法,分析了影响电路传输函数的因素,在各种条件下研究了电路偏置的稳定性,最后得到了一种比较理想的实用偏置结构...
  • 162. 利用单芯片MCU提高照明系统能源效率
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  71-73
    摘要：
  • 163. 新闻点评
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  74-76
    摘要：
  • 164. 综合新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  77-78
    摘要：
  • 165. 半导体市场
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  79
    摘要：
  • 166. 业界动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  80-82
    摘要：
  • 167. 产品博览
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年7期
    页码:  83-84
    摘要：
  • 168. 一种芯片研发项目度量
    作者： 吴臻
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  1-3
    摘要： 讨论了如何对IC项目和开发团队能力进行合理的度量和分析,以准确估计IC产品的交付情况,核心度量为项目进度、交付物规模、质量和成本.
  • 169. 基于TOC理论的OEE的应用
    作者： 朱虹 钱省三
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  4-7
    摘要： 在介绍OEE与TOC理论的基础上,将两者的优缺点互补,引入IEE概念进行瓶颈诊断,开展了TPM活动以提高系统整体效率,同时提出一宏观与微观相结合的企业数据收集与处理模型.结合目前国内半导体厂...
  • 170. 纳电子封装
    作者： 吴丰顺 吴懿平 张金松 王磊 胡炎祥
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  8-12,17
    摘要： 讨论了将成为21世纪电子制造领域的核心科学与技术的纳电子封装的基本概念以及由其产生的驱动力.阐述了纳电子封装的研究内容和纳电子封装的现状及发展趋势.
  • 171. 国外军用超大规模集成电路的应用与发展趋势
    作者： 林晓玲 章晓文 阮春郎
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  13-17
    摘要： 论述了国外超大规模集成电路的发展趋势及在武器装备中的作用.介绍了美、欧、日、韩今后发展超大规模集成电路的对策.分析了国外超大规模集成电路民技军用的背景,随着集成电路技术的发展,民用市场上会有...
  • 172. 优化整合拓展前进中的Credence--访Credence CEO David A.Ranhoff博士
    作者： 吴波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  18-19
    摘要：
  • 173. 把握住每一个焊点焊接的可靠性和焊接的强度保证产品质量稳定
    作者： 刘红梅 胡平生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  20
    摘要：
  • 174. 多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展
    作者： 宋志棠 封松林 张楷亮 陈苏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  21-24
    摘要： 对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,...
  • 175. 新型CMP用二氧化硅研磨料
    作者： 刘玉岭 张建新 王娟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  25-26,33
    摘要： 介绍化学机械抛光技术的重要性,找出影响其性哪料种类做概要论述,找出其优缺点.并在前人研究的基础上研制出更具优势的抛光研磨料,详细介绍其特点及使用条件,另对它的使用效果进行了简要说明.
  • 176. 微/纳米级微电子机械系统制造新技术
    作者： 成立 王振宇 祝俊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  27-33
    摘要： 论述了微电子机械制造中的主要技术,包括表面微细加工、体微细加工、光刻-电铸-注塑(LIGA)、硅直接键合技术等,并讨论了这些新技术在MEMS产品中的应用前景.
  • 177. 基于MEMS共面波导腔的带阻滤波器的设计
    作者： 李应良 赵继德 马传龙
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  34-37
    摘要： 应用计算机辅助设计了一种基于共面波导结构的MEMS带阻滤波器.研究了微尺度电磁学、力学、温度等效应.利用ANSOF的HFSS软件模拟分析了滤波器的损耗参数,并应用ANSYS软件分析复合结构的...
  • 178. 半导体代工厂的特气供应系统探讨
    作者： 彭志辉 黄其煜
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  38-40,44
    摘要： 对在半导体晶圆代工厂中应用的特种气体及气体的不同特性进行了分类和讨论,进而对特种气体在晶圆厂的主要供应流程及其要点进行了阐述,并且对在晶圆厂有着重要作用的关键管件及重要设计进行了探讨.
  • 179. 湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究
    作者： 张世祖 花吉珍 郭艳菊 陈国鹰 高丽艳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  41-44
    摘要： 论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程.用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液H...
  • 180. 基于SEMI(R)F57-0301标准下,新一代化学品输送过程中,阀门管接件及其材料的选择、设计、生产和测试
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2005年8期
    页码:  45-49
    摘要： 本文高度阐述了含氟聚合物阀门应用在半导体行业超高纯水系统和液体化学分配系统,阀门的选择、设计、生产和测试的问题.针对半导体工业发展的需求,以SEMI F57-0301为标准,对更加苛刻的应用...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
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