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摘要:
对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步探讨.
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文献信息
篇名 多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 超大规模集成电路 化学机械抛光 抛光液 多层互连
年,卷(期) 2005,(8) 所属期刊栏目 技术专栏(化学机械抛光)
研究方向 页码范围 21-24
页数 4页 分类号 TN405.97
字数 3836字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.08.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈苏 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心 20 612 14.0 20.0
2 封松林 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心 44 296 8.0 16.0
3 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心 51 197 8.0 12.0
4 张楷亮 中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心 3 35 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
超大规模集成电路
化学机械抛光
抛光液
多层互连
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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