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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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目录
  • 1. 各类环境调和型封装技术与材料的现状
    作者： 傅岳鹏 张颖一 杨俊 田民波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  301-306
    摘要： 整理和归纳了各国不同的RoHS相关政策,并分门别类地概括和介绍了各种符合环保法规的封装技术和材料的发展与动态,包括电子元件的环境对应、环境调和型印制电路板技术、低温导电技术、导电性粘结剂、易...
  • 2. 晶片边缘磨削控制方法研究
    作者： 张志军 王学军 贺敬良
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  307-310
    摘要： 对半导体工艺中晶片的边缘磨削技术进行了论述,分析了晶片边缘磨削技术的特点,在此基础上,提出了一种高效、可靠的晶片边缘磨削方法.该方法基于单轴电机进给控制,通过控制软件来实现对晶片边缘及定位边...
  • 3. 大直径InP单晶生长研究
    作者： 周晓龙 孙同年 孙聂枫 杨克武 杨瑞霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  311-314
    摘要： 生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点.通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、...
  • 4. 新的晶圆级1/f噪声测量法
    作者： 黄丽华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  315-317
    摘要： 提出了一种新的可靠的晶圆级1/f噪声测量方法和架构.测试架构采用了吉时利的一系列仪器,包括4200-SCS、428和一个低通滤波器,并且采用了吉时利的自动特征分析套件(ACS)软件来控制测量...
  • 5. 多线切割工艺中晶片翘曲度的控制
    作者： 林健
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  318-319,332
    摘要： 翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一.采用逐点扫描法对多线切割制备的晶片翘曲度分布进行了测量.通过对切割线张力、砂浆使用次数、切割速度等影响翘曲度的主要因素进行实验分析,阐述了产生的原...
  • 6. 杂质分凝对FZ-Si单晶电阻率均匀性影响的研究
    作者： 刘洪 刘洪飞 刘燕 索开南 董军恒 高岗
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  320-323
    摘要： 对区熔Si单晶样品的轴向、径向以及生长界面的电阻率进行了测试,分析了影响电阻率均匀性的主要因素.结果表明,通常认为的影响电阻率均匀性的因素,并不是决定性因素.本文从FZ单晶在生长过程中,杂质...
  • 7. 外延用300 mm重掺B Si衬底中热致微缺陷研究
    作者： 周旗钢 崔彬 戴小林 韩海建 高朝阳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  324-327
    摘要： 研究了重掺B对300 mm直拉Si衬底中热致微缺陷的影响.通过800℃/4～16 h+1 100℃/16 h的低-高两步退火处理发现,与普通(CZ)Si片相比,重掺B(HBCZ)Si片体内生...
  • 8. SiGe合金单晶生长研究
    作者： 何秀坤 刘锋 李丹 毛陆虹 王义猛 韩焕鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  328-332
    摘要： 通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度.采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,...
  • 9. 无液封GaAs多晶合成技术
    作者： 刘晏凤 周春锋 杨连生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  333-336
    摘要： 利用As、Ga、GaAs的性质,开发出一种新的GaAs多晶合成方法.开展了φ130 mm合成系统的温度、压力优化实验.采用石墨盖代替BN坩埚盖,开发了100 mm新合成石墨系统,通过工艺实验...
  • 10. Si抛光片存储中表面起"雾"的研究
    作者： 程国庆 詹玉峰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  337-340
    摘要： 存储中Si片起"雾"是Si片存储面临的最大挑战,"雾"缺陷是可见或可印刷的晶体结构,从污染生长而来,已是困扰半导体业界长达10年以上的大问题.半导体制造商们至今还未能提出良好的解决方案.所以...
  • 11. 谐振式微光学陀螺系统设计
    作者： 周柯江 张旭琳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  341-344
    摘要： 集成化、微型化是谐振式光学陀螺的发展趋势之一.通过分析在一定激光器线宽情况下,谐振式微光学陀螺(R-MOG)系统极限灵敏度和环形谐振腔光路中各主要参数之间的关系,得到环形谐振腔耦合系数与环形...
  • 12. 铁电阴极电子发射的动态特性分析
    作者： 周应华 蔡雪梅
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  345-347,374
    摘要： 主要研究了铁电阴极电子发射的动态特性,通过对收集到的激励电压和发射电流波形进行幅频特性和相频特性分析,得到电子发射的敏感频率区域为0.65～2 MHz.运用电子发射的极化反转机理,在以上动态...
  • 13. 高压VDMOS用外延片的外延参数设计
    作者： 张鹤鸣 袁肇耿 赵丽霞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  348-350
    摘要： 通过理论计算,对VDMOS器件的外延层厚度和掺杂浓度进行了优化设计,探讨用于VDMOS的外延工艺,讨论了外延层厚度和过渡区的测试方法,提出了有效外延层厚度是影响击穿电压的最关键参数,应用此参...
  • 14. 化合物半导体薄膜工艺参数的分光光度法测试
    作者： 李越生 杨柳滨 江素华 郝茂盛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  351-354
    摘要： 化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能.介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合...
  • 15. 哈特曼像差自动测量系统设计与开发
    作者： 李建新
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  355-360
    摘要： 研究了哈特曼物镜自动测量的系统结构,包括哈特曼球差测量的光学系统、面阵CCD图像采集系统和光栅位移测量系统.深入讨论了数字图像处理、测量与识别的软件设计方案,进行实验与误差分析.关于数字图像...
  • 16. 全自动晶片焊线机视觉检测系统的研究
    作者： 景文博 段锦 王峰 祝勇 路健
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  361-364
    摘要： 全自动晶片焊线机是晶片生产的关键设备之一,其视觉系统是设备的核心技术所在.视觉系统决定了晶片的检测和定位精度.介绍了基于机器视觉的全自动晶片焊线机的专用芯片视觉检测系统的工作原理和设计结构,...
  • 17. 传输线脉冲发生器电压探测中振荡问题的研究
    作者： 曾传滨 李晶 海潮和 王显泰 韩郑生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  365-369
    摘要： 对传输线脉冲发生器电压探测中的振荡问题进行了研究.通过减小电压探头的寄生电感克服了振铃问题.通过缩短电压探头和待测器件之间的传输段传输线长度降低了探头处实际承受的上冲电压,从而有效地抑制了传...
  • 18. 信息
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  369
    摘要：
  • 19. 超高频RFID读写器基带处理器的设计
    作者： 张春 王敬超 陈逆
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  370-374
    摘要： 为实现单芯片的超高频读写器,提出了一种读写器基带处理器的设计方案.设计采用了微处理器IP核在AFS600上搭建一个读写器数字基带,在原本不支持调试模式的微处理器上扩展了片上调试功能,为集成开...
  • 20. 基于verilog-A数控LC振荡器系统的行为级建模
    作者： 周郭飞 曾烈光 苏厉 葛宁 金德鹏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  375-380
    摘要： 在全数字锁相环中数控振荡器和由∑△调制器所构成的系统是一个规模很大的电路,采用传统的电路级描述难以在现有的EDA工具中仿真.为此提出了一种基于Verilog-A语言的行为级建模方法来对系统进...
  • 21. 固态脉冲功率放大器脉冲波形顶降的研究
    作者： 赵夕彬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  381-384,392
    摘要： 针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身项降以及功率...
  • 22. 基于CMOS工艺的硅基PI湿度传感器的研制
    作者： 崔千红 杨子健 杨建红 王敬松 韦波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  385-388
    摘要： 在国内外湿度传感器研究的基础上,基于Si CMOS工艺研制出了以聚酰亚胺(PI)为感湿介质的电容型相对湿度传感器.并对其结构进行了理论分析,仔细确定了湿度传感器的工艺步骤和版图设计.对其测量...
  • 23. 人工耳蜗专用植入刺激芯片设计
    作者： 张春 李冬梅 王志军 贾晨 麦宋平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  389-392
    摘要： 设计了一个人工耳蜗专用植入刺激芯片.芯片为17个刺激电极提供精确的电流脉冲刺激,同时具有一定的数据检错能力,可以满足各种不同的语音编码算法的需要.芯片为一数模混合电路,采用0.35 μm嵌入...
  • 24. 红外遥控发/收数据通信系统的EDA实现
    作者： 曹云鹏 李文石 钱敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  393-396
    摘要： 分析了红外线遥控系统的数据编码和传输机制;设计了基于红外线的数据发送和接收系统;用VerilogHDL语言设计了信号编/解码核心电路,外围电路包括红外发/收器件、晶振、显示电路等;在Mode...
  • 25. 具有数据中继功能的三相数字电表设计
    作者： 叶敦范 左高
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  397-400
    摘要： 设计了一种具有数据中继功能的三相数字电表.该电表巧妙地引入了无线收发器nRF905,结合特定多功能电表通信协议,有效解决了自动抄表系统中485抄表通信成功率低、不能即连即通的问题.电表可以在...
  • 26. 技术产品专栏
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  401
    摘要：
  • 27. 产业新闻
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2009年4期
    页码:  402-403
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
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