外延用300 mm重掺B Si衬底中热致微缺陷研究

• 作者: 周旗钢 崔彬 戴小林 韩海建 高朝阳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 外延 重掺硼硅衬底 熟致微缺陷 层错
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(晶圆生长及晶片制备技术)
• 页码范围: 324-327
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.12
• 字数: 2599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.04.007

摘要

研究了重掺B对300 mm直拉Si衬底中热致微缺陷的影响.通过800℃/4～16 h+1 100℃/16 h的低-高两步退火处理发现,与普通(CZ)Si片相比,重掺B(HBCZ)Si片体内生成了高密度的热致微缺陷--体微缺陷(BMDs);B浓度的不同对BMDs的形态也有重要影响,重掺B Si片中出现杆状层错,随着B浓度的增加,层错密度增加,尺寸减小.研究表明,重掺B对BMDs的促进作用主要归功于B原子促进了氧沉淀的异质形核并由于原子半径效应使得这些核心较容易长大,而晶体中初始氧含量不是重掺B促进氧沉淀的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
5	戴小林		9	76	5.0	8.0
6	高朝阳		1	2	1.0	1.0
7	崔彬		1	2	1.0	1.0
8	韩海建		1	2	1.0	1.0