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半导体技术2009年第6期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力.一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系.概述了它们独特的能带结构和物理特性及其为各种新型功能器件的研发提供的极大...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 绝大多数半导体器件都是静电敏感器件,而在生产过程中静电又是无处不在的,生产厂必须对静电防护措施给予充分的重视.生产厂应通过对器件采用防静电设计,并在生产过程中对静电采用泄漏、屏蔽和中和等控制...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术.用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm.得到了优化的制作倒台面结构的光...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 在毫米波产品设计中,芯片的安装方式及连接路径是影响产品性能的一个重要因素.目前的手工操作方法不能满足高性能产品设计的需要,同时也是批量化生产的工艺技术瓶颈.介绍了一种新型的在电路基片上制作芯...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 台面制作工艺对1.3 μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响.根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法.InGaAs层ICP刻蚀避免了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究.实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制.通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07 nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根...
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10. 新型亚纳秒高功率半导体开关器件刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件--快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理.采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒...
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11. SOI器件的增强短沟道效应模型刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 为了探索SOI器件总剂量辐照后阈值电压漂移量和沟道长度的关系,利用器件模拟软件ISE TCAD,对不同沟道长度的PDSOI NMOS管进行了总剂量辐照模拟.模拟结果表明,随着沟道长度的减小,...
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12. 一种大功率介质双工器的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 针对在300～400 MHz频率内现有腔体双工器体积大、LC双工器插损大的缺点,设计了一种体积小、插损低、功率容量高的介质双工器,其通带中心频率分别为320和340 MHz.利用微波仿真软件...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 用有限元法进行微波部件结构设计可以提高结构的可靠性.对某微波部件的结构进行了固有频率和固有振型模态分析,给出了通过改变结构来改善固有频率的仿真分析.提高微波部件结构固有频率的方法包括选择杨氏...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 侧壁孔洞缺陷是当前Al-Cu金属互连导线工艺中的主要缺陷之一.此种缺陷会导致电迁移,从而降低器件的可靠性.缺陷的产生是由于在干法等离子光刻胶去除工艺过程中,θ相Al2Cu在Al晶界聚集成大颗...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 通过不同气体(NO、N2O、NH3)对Ge衬底进行表面预处理,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜,制备HfTiO/GeOxNy叠层高k栅介质Ge MOS电容,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 研究了不同浓度Cr、Co和Mn的掺杂对ZnO-PbO-B2O3陶瓷压敏特性的影响.实验表明,ZnO平均晶粒尺寸随各元素掺杂量增加而逐渐变大,压敏电压也随之升高,非线性系数随各元素掺杂量增加而...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 基于未来低功耗毫米波接收前端的应用,采用InP HEMT工艺实现了一种W波段宽带低噪声放大器.该放大器采用边缘耦合线用于级间的隔离,扇形短截线用于RF旁路,偏置网络采用薄膜电阻和扇形短截线以...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 建立了描述CMOS LC振荡器特性的二阶非线性微分方程.利用等效小参量法原理导出了原系统的等效线性方程组及其特性解析表达式,得到了交叉耦合MOS特性对振荡器性能的影响,包括起振条件、输出幅度...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 设计了一种用于驱动电路和模数转换器的片上电流源,该结构利用带隙基准的方法产生了一个与温度无关的参考电平,同时为了满足高电源抑制的要求,电流源中采用了运算放大器的负反馈环路来抑制电源到输出的增...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 研制了一套基于软件预处理的多量子阱空间光调制器驱动电路.针对不同的多量子阱空间光调制器,软件预处理单元根据其反射特性,拟合出它的反射谱线.根据反射谱线产生相应的光电转换控制信号,增强了该驱动...
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21. THD改善的D类音频功放刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 提出了一种双环反馈拓扑结构的D类音频功放.通过对基于脉冲宽度调制的D类功放反馈系统的分析,指出环路参数对总谐波失真THD和电源抑制比PSRR等性能有着重要的影响,讨论了如何通过参数优化来改善...
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22. 开关滤波器组的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 选频网络广泛用于通信领域,开关滤波器是选频网络中的关键部件.开关滤波器组采用PIN开关和腔体滤波器技术,用ANSOFT仿真软件和HFSS高频仿真软件进行电路优化设计,管芯采用烧结工艺,产品的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 为了更准确地设计功率放大器,放弃了依靠调试的设计方法而采用负载牵引法进行大信号参数提取并以此为基础进行放大的设计.阐述了管芯大信号模型理论,介绍了利用负载牵引技术对管芯进行大信号参数的提取过...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分.采用多种方法...
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25. 太赫兹频段的近程ISAR成像系统刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 介绍了一种THz频段的近程逆向合成孔径雷达(ISAR)成像系统.该系统采用EIO作为THz功率源,工作频率345 GHz,探测距离5～20 km,探测精度可达3.75 m,并具有较小的波束宽...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要： 设计了一种应用于计算机的低噪声开关电源电路,通过调节PWM占空比来达到系统稳定输出的目的,同时通过内部保护电路来监控和保护3.3 V/±5 V/±12 V输出电压.根据计算机电源系统对该电路...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要：
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28. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要：
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29. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年6期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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