半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 李秀清 赵小宁
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  621-625
    摘要: SiC和GaN等宽带隙半导体以其固有的高频、大功率、高温和抗恶劣环境应用潜力,在替代传统的Si和GaAs等器件应用于军事及宇航系统装备方面具有无可比拟的技术优势.概述了以SiC、GaN和金刚...
  • 作者: 李和委
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  626-630
    摘要: 在阐述W及以上波段MMIC放大器性能的基础上,回顾了以InP HEMT MMIC放大器为主流技术的W及以上波段MMIC放大器的研究进展,介绍了基于InP HBT、GaAs MHEMT和SbH...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  630
    摘要:
  • 作者: 吴小洪 回晓明 姜永军 钟石明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  631-633,640
    摘要: 随着当今社会对金丝球引线键合机的工作速度、定位精度要求的不断提高,对图像控制系统也提出了更高的要求.针对单纯使用MIL图像处理库提供的模板匹配算法会出现误判现象,提出了一种"二次梯形分层搜索...
  • 作者: 戚其丰 杨立玲 王婷 胡跃明
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  634-636
    摘要: 全自动上芯机是用于芯片生产后工序的关键设备之一,而机器视觉检测系统又是提高该设备产能和质量的关键系统.在机器视觉检测系统中,图像的有效分割是图像分析的基础.针对摄像机采集到的图像由于镜头具有...
  • 作者: 杨立玲 胡跃明 蒋伟林 高红霞
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  637-640
    摘要: 元件角度识别是贴片机元件视觉检测的关键,其参数的精确获取直接影响贴片机进行元件贴装的准确性.SUSAN算法是一种基于图像灰度比较的算法,不涉及梯度的计算.讨论了该算法的模板和门限的选取方法,...
  • 作者: 景文博 段锦 祝勇 路健
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  641-644
    摘要: 全自动晶片焊线机是晶片生产的关键设备之一,其视觉检测系统是设备的核心技术所在.视觉检测技术直接影响晶片检测定位精度和焊接机的工作效率.分析了晶片检测原理和方法,研究了基于图像处理技术的晶片检...
  • 作者: 周求湛 李玉峰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  645-648
    摘要: 电子器件的低频噪声是表征其工作可靠性的敏感参数,基于虚拟仪器组建了一套低频噪声测试系统,由双通道低噪声前置放大器、PXI-4472数据采集卡和PC机构成.介绍了系统功能框图和软件设计,不仅能...
  • 作者: 彭浩
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  649-652,688
    摘要: Agilent 8970B噪声系数测试仪是低噪声、高灵敏度接收机,与Agilent 8971C扩频装置、本振一起使用,可以将测试频率扩展到26.5 GHz.介绍了其原理及测试方法,该方法通过...
  • 作者: 郑学仁 魏长河
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  653-657
    摘要: 随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要.而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤.该研究以伯克利大学开发的SPICE Level-3...
  • 作者: 付兴昌 崔玉兴 罗希
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  658-660
    摘要: 为提高PHEMT性能,从改进PHEMT结构出发,采用介质栅器件结构,研制了0.25 μm介质栅PHEMT器件,并与Win公司生产的0.25 μm非介质栅器件的频率特性、开态击穿和功率特性进行...
  • 作者: 李海琴 黄立平
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  661-664,700
    摘要: 为了研究频率偏离增益峰值时光栅外腔半导体激光器的双稳特性,对比了以前研究双稳态的原简化模型和近期建立的H参量简化模型、H参量模型所得的双稳环环宽及其存在的条件;采用数值计算和模拟的方法,讨论...
  • 作者: 于军 徐玮 王晓晶 袁俊明 雷青松
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  665-668
    摘要: 利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:al)薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光学性能的影响.利用X射线衍射仪、场扫...
  • 作者: 张鹤鸣 赵丽霞 陈秉克
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  669-671
    摘要: 阐述了Si片表面时间依赖性雾的形成过程、分布、形状、密度及识别和去除的方法.通过同样流程清洗、不同条件干燥处理的Si片在不同湿度条件下储存的实验,指出了时间依赖性雾是H与掺杂原子的联合体以及...
  • 作者: 周应华 蔡雪梅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  672-675
    摘要: 实验研究了提高PZT(锆钛酸铅)阴极电子发射性能.在电子发射快极化反转机理的基础上,分析了电流发射密度随激励场强增大的原因.通过电极绝缘保护层改散了阴极的表面击穿特性,通过等静压工艺改善了阴...
  • 作者: 刘晓伟 杨洪星
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  676-678
    摘要: Ge材料具有优良的红外光学性能以及抗辐射性能,在航天领域有着广泛的应用.产品的可追溯性一直是困扰Ge单晶抛光片的技术难题.介绍了激光打标机的工作原理,并采用波长为1 064 nm的光纤型激光...
  • 作者: 刘爱民 刘维峰 刘艳红 周紫光
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  679-683,714
    摘要: 利用表面光伏谱可测光电材料的禁带宽度、导电类型、表面态能级和少数栽流子扩散长度等.分析了表面光伏技术的非破坏性、快速和高灵敏度等方面的优点,指出它可以在一个合适的温度范围内对任何环境下的任何...
  • 作者: 郎清华 金红杰
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  684-688
    摘要: 论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法,该法中两个精确排列的探针,沿着被测晶片的磨制斜面边移动,边测试,得出系列数据.二探针扩展电阻分布法采用平式针尖无凹痕接触模型和多层理论计算扩展电...
  • 作者: 佟丽英 刘春香
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  689-691
    摘要: 给出了一种掺硼p+-Si外延层厚度的测试方法.该方法是根据Si在KOH溶液中呈现的腐蚀特性而衍生出来的.Si在KOH溶液中的腐蚀速率与Si的掺杂浓度有关,当掺杂浓度超过5×1019 cm-3...
  • 作者: 方玉明 李伟华
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  692-696
    摘要: 磁驱动微执行器是一种重要的微执行器.与静电驱动相比,磁驱动具有一些无可替代的优点.静磁驱动是磁驱动方式中重要的一种,具有广阔的应用前景.综述了国内外静磁微执行器模型的最新进展,分析了各类模型...
  • 作者: 徐延光 邓进军 马炳和
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  697-700
    摘要: 利用Ni材料的高电阻温度系数特性,结合MEMS微加工技术,研究开发了全柔性的Ni基热敏传感器及其阵列.对传感器阵列的材料选择、Ni薄膜电阻的特点以及制备工艺进行了研究.通过油浴升温和电流阶跃...
  • 作者: 刘跳 曾庆明 李献杰 蔡道民 赵永林 郝跃
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  701-703
    摘要: 介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极.基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10 Gb/s跨阻放大器.其中SHBT获得了在Ic=...
  • 作者: 喻梦霞 许春良 贾玉伟 高学邦 魏洪涛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  704-707
    摘要: 采用PIN二极管工艺技术,设计、制作了一种微波单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片,并给出了详细测试曲线.该开关由四级PIN二极管组成,采用单端匹配结构.工作频率8~10 GHz,整个带内插...
  • 作者: 王彦萍
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  708-710
    摘要: 设计实现了一个雷达接收机用的二次变频接收前端组件,考虑了主要技术指标及本振和信号通道寄生频率的影响,解决了一本振和二本振交调在信号通道内产生的交调干扰问题.通过理论计算预先确定了频率干扰点,...
  • 作者: 李宏军 郑升灵
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  711-714
    摘要: 高性能微波通信系统对滤波器的性能要求越来越高.特别是在中频输出电路或脉冲调制系统中,为保证信号波形无畸变的输出,高矩形系数、带内平坦、平延时的滤波器受到相当重视.传统的滤波器不能满足要求,介...
  • 作者: 刘春娟 刘肃 吴蓉 张彩珍 王永顺
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  715-718
    摘要: 采用TSMC 0.6 μm 1P3M标准CMOS工艺设计了一种检测O2浓度的SnO2气体微传感器.传感器材料是由实验分析及CMOS工艺共同确定,其多晶硅加热电阻温度系数小、功耗低,而SnO2...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  719-720
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  721-722
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  722
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2009年7期
    页码:  前插2
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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