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半导体技术2012年第8期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 数字水印技术是一种重要的知识产权核(IP)保护技术,也是应用最广泛的IP核保护技术.介绍了常用的数字水印生成方法,分析了在FPGA设计的各个层面(软核、固核、硬核)的IP核数字水印技术.IP...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 介绍了一种基于0.18 μm CMOS工艺,具有开关功能的低压集成温度传感器.该温度传感器利用半导体pn结的电流电压与温度有关的特性,获取双极晶体管基极-发射极电压差值△VBE,采用仪表放大...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 介绍了一种采用0.15 μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级联分布式结构.此种电路结构不仅能够增加整体...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 具有升降压功能的单级SEPIC PFC电路,工作在电流临界断续模式时,可降低功率器件的开关损耗和提高变换器的效率,此种电路在中小功率PFC变换场合得到广泛的应用.针对电流临界断续模式SEPI...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构.采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件.优化了管壳内匹配形...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计.在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域电流采样方法及对应的过流保护电路结构,该方案具有结构简单、低功...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 描述了混合晶向技术原理以及各种硅村底晶向的反型层中载流子迁移率特性,分析了应变硅技术对载流子迁移率的增强机理,介绍了DSL这种应变硅技术的工艺实现方法.提出了将混合晶向技术和应变硅技术两者有...
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9. 键合线互连电路的优化设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 介绍了一种微波多芯片组件中芯片与传输线互连的键合线五连电路设计.采用低通滤波器方法设计的键合线互连电路结构,在键合线长度一定的情况下,能够显著提高键合线互连电路的频率响应.设计了一种基于3阶...
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10. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要：
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11. FBAR用高质量AlN薄膜制备刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(Ⅲ)村底上成功制备了(002)向AlN薄膜.使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量.当RF偏置从0W变化到20 W时,XRD...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 在3英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法生长GaN外延材料.研究了AlN缓冲层的应变状态对GaN外延层应变状态和质量的影响.使用原子力显微镜和...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择.回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟...
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14. 硅外延工艺与基座的相关性研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 硅外延使用包封SiC的石墨基座,基座的尺寸及基座上承载槽的形貌和硅外延片的滑移位错直接相关.为使高温下Si片内产生的应力不超过滑移位错产生的临界应力,必须使Si片处于均匀的温区.实际使用表明...
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15. 毫米波固态功率放大器的高效合成器刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 介绍了毫米波固态功率放大器的应用与发展现状,提出了一种新颖高效的2×2鳍线叠层式毫米波宽带功率合成结构,利用三维电磁场软件HFSS建模仿真,在32～36 GHz带内回波损耗小于- 20 dB...
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16. 大功率集成LED光转换光源的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 介绍了一种应用远程激发技术的大功率集成LED光转换光源,通过使用固晶区无绝缘层的镜面铝基板进行集成封装蓝光LED光源,即COB光源.所制蓝光光源与远程激发荧光粉模块结合制成LED光转换光源....
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17. 低气压去离子水检漏方法研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 在被要求密封的电子产品(器件或组件)中气密性不良是造成产品失效的重要原因之一.在传统的检漏方法中,对低密封产品(如体积较大的组件及小整机)往往采用油质检漏,但此类方法也存在一些弊端.介绍了一...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的方案.通过设计不同的HBT器件的版图结构,以及采取...
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19. 微波功率放大器的热管散热设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2012年8期页码:摘要： 随着微波功率放大器热功耗的增加和小型化,如何改善散热问题变得越来越重要,理想的热设计能够保证放大器长期工作.放大器在真空环境下以热传导和辐射散热为主,嵌入在盒体底部的热管具有很高的热传导率....
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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| 3. | 中文核心期刊 |
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