半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 刘宏伟 刘春影 李晓云 杨华 牛萍娟 苗长云
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  881-887
    摘要: 表面等离子体能够增强氮化镓发光二极管的发光效率,为高效发光二极管芯片的研究提供了可行的方案.近年来,国内外研究小组在利用表面等离子体增强氮化镓发光二极管发光效率的实验中,取得了很多有价值的结...
  • 作者: 卢东旭 吴洁 田国平 高博
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  888-891,916
    摘要: 从频率合成器的构成和噪声模型入手,分析了主要单元电路对噪声的贡献,进而研究了各频率合成器模块中的噪声影响因子,建立了不同模块的噪声模型,并在模型基础上改进了压控振荡器的电流源结构及鉴相器的延...
  • 作者: 王文军 马琳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  892-896
    摘要: 设计了一款用来偏置增强型和耗尽型A类低噪声放大器的电源芯片,通过自动校准外接放大器的栅压使其漏端电流保持恒定.芯片在温度、电源、工艺变化时实现了良好的偏置稳定性,并且避免了这些变化导致的放大...
  • 作者: 尹明 范越 陈少昌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  897-901
    摘要: 芯片长距离互连时,通过传统的插入缓冲器方法减小延迟存在功耗大、占用芯片面积多等问题.针对这些问题,提出了一种电流模互连电路.这一电路在互连线上传输的信号电压摆幅很小,从而能够有效降低互连功耗...
  • 作者: 匡勇 屈静 李蕊 胡冬青 苏洪源 贾云鹏 金锐
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  902-907
    摘要: 电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一,该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压.针对150 V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区(分别为电荷耦合区N1...
  • 作者: 刘钺杨 匡勇 屈静 李蕊 胡冬青 苏洪源 贾云鹏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  908-916
    摘要: 载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力.为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(pB...
  • 作者: 吕元杰 王丽 谭鑫
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  917-920,925
    摘要: 在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs).采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm S...
  • 作者: 吴佐飞 尹延昭 田雷 苗欣
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  921-925
    摘要: 研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成;采用绝缘层上硅(SOI)材料取消了敏感电阻之间的pn结,有效减小了漏电,提高了传感器的稳定性;用多层复合电极替代传统的铝电极,并应用高掺杂点电...
  • 作者: 刘云青 宁敏 宗艳民 张红岩 李永峰 王希杰 高玉强
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  926-929,935
    摘要: 采用湿法腐蚀对不同电阻率的4H-SiC衬底进行腐蚀.观察发现,对于同一类型缺陷,低电阻率衬底的缺陷腐蚀坑尺寸比高电阻率衬底的小1~2倍,证明氮元素掺杂的低电阻率SiC衬底的腐蚀速率更低.通过...
  • 作者: 吴东平 张敬维 文宸宇 皮朝阳
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  930-935
    摘要: 实验制备的柔性压电纳米发电机用旋涂得到的PVDF-TrFE薄膜作为有源层来实现机电转换.纳米发电机的有源层PVDF-TrFE薄膜在外加电场和温度场下被极化.在极化过程中,PVDF-TrFE薄...
  • 作者: 李健 韩菲
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  936-942
    摘要: 用热蒸发法和热处理制备稀土Dy掺杂金属氧化物CdO,ZnO和SnO2薄膜,研究不同Dy掺杂浓度及热处理对3种薄膜性能的影响.XRD和SEM测试结果显示:适当的Dy掺杂和热处理可改善薄膜的结构...
  • 作者: 吴华妹 岳巍 李兆龙 章月红 谢裕颖 陈祖良
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  943-946
    摘要: 利用1.5 MeV Dynamitron电子加速器,在常温常压下通过改变电子注量和注量率等辐射参数对双极型开关晶体管晶圆芯片进行辐照处理,在厌氧条件下进行了不同温度不同气氛的退火实验,研究了...
  • 作者: 史卫朝
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  947-950
    摘要: 基于散热器载覆芯片(COHS)封装光源的模块为研究对象,建立了有限元模型,以有限元分析软件FloEFD和测温实验为平台,模拟分析了光源模块从启动到稳定工作过程中的温度分布,并对实际光源模块的...
  • 作者: 塚越和也 小室健司 李茂林 杨秉君 横尾秀和 清水三郎
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2014年12期
    页码:  951-956
    摘要: 针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题,利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备(ULVAC,IH-860DSIC)、碳膜溅射设备(ULVAC,SME-200)和高温...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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2. 中国科技论文统计用刊
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