150 V电荷耦合功率MOSFET的仿真

• 作者: 匡勇 屈静 李蕊 胡冬青 苏洪源 贾云鹏 金锐
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET) 变掺杂 电荷耦合 场板 低栅漏电容
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 902-907
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.12.005

摘要

电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一,该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压.针对150 V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区(分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区)电荷匹配问题进行了仿真优化研究,结果表明:N1区和N2区浓度分别约为2.2× 1016 cm-3和4.5×1015cm-3时,电场分布更加均匀、耐压更高,且比导通电阻仅为1.306 mQ·cm2,即击穿电压和比导通电阻间达到最佳匹配.同时,还针对器件不同槽深进行了静态特性和动态特性的整体仿真优化研究,结果表明:槽深在7～9μm时,器件满足耐压要求且击穿电压随双漂移区掺杂浓度匹配程度变化较为平稳.最后,优化结构与传统槽栅MOSFET相比,其栅漏电容和栅电荷大幅降低,器件优值降低了约87％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡冬青	北京工业大学电子信息与控制工程学院	27	114	7.0	9.0
2	贾云鹏	北京工业大学电子信息与控制工程学院	16	107	7.0	9.0
3	金锐	国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所	11	77	5.0	8.0
4	屈静	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	18	3.0	4.0
5	匡勇	北京工业大学电子信息与控制工程学院	4	18	3.0	4.0
6	李蕊	北京工业大学电子信息与控制工程学院	7	44	5.0	6.0
7	苏洪源	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	19	3.0	4.0