大电流密度高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制

• 作者: 吕元杰 王丽 谭鑫
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT SiN钝化 漏源饱和电流密度 电流增益截止频率 T型栅
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 917-920,925
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.12.007

摘要

在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs).采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm SiN表面钝化、低欧姆接触以及较短漏源间距等方法来提升器件性能.在Vgs=4V时器件的最大漏源饱和电流密度为1.72 A/mm,最大跨导为305 mS/mm,此结果为国内报道的AlGaN/GaN HEMT器件最大漏源饱和电流密度.此外,栅长为90 nm T型栅器件的电流增益截止频率(^)为109 GHz,最大振荡频率(fmax)为144 GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕元杰		12	11	2.0	2.0
2	王丽		4	4	2.0	2.0
3	谭鑫		2	4	2.0	2.0