湿法腐蚀研究PVT法生长的SiC单晶中的位错

• 作者: 刘云青 宁敏 宗艳民 张红岩 李永峰 王希杰 高玉强
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 腐蚀 物理气相传输(PVT) 4H-SiC 位错 微管
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 926-929,935
• 分类号: TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.12.009

摘要

采用湿法腐蚀对不同电阻率的4H-SiC衬底进行腐蚀.观察发现,对于同一类型缺陷,低电阻率衬底的缺陷腐蚀坑尺寸比高电阻率衬底的小1～2倍,证明氮元素掺杂的低电阻率SiC衬底的腐蚀速率更低.通过显微镜观察腐蚀后的衬底,对六边形的螺位错(TSD)、近圆形的刃位错(TED)和贝壳形的基平面位错(BPD)腐蚀坑进行了分析.对比了TSD与微管腐蚀坑形貌的区别,虽然两种缺陷腐蚀坑都具有六边形形貌,但微管腐蚀坑尺寸比TSD腐蚀坑大1.4倍左右.通过对位错密度的统计,发现目前4H-SiC衬底中主要的位错为TED和BPD,而TSD密度相对较低,仅为420 cm-2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宗艳民		5	19	3.0	4.0
2	王希杰		3	15	2.0	3.0
3	张红岩		1	0	0.0	0.0
4	刘云青		1	0	0.0	0.0
5	宁敏		1	0	0.0	0.0
6	高玉强		2	3	1.0	1.0
7	李永峰		1	0	0.0	0.0